[发明专利]一种微米二硫化钴复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010698335.0 | 申请日： | 2020-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN111924887B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 赵硕;鲁建豪;薛杉杉;吴略韬;斯宏梁;黄宗乐 | 申请（专利权）人： | 北京科技大学 |
| 主分类号： | C01G51/00 | 分类号： | C01G51/00;C01B32/05;H01M4/58;H01M4/62;H01M10/052;H01M10/0525;H01M10/054;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微米二硫化钴复合材料的制备方法及其作为电极的应用，属于能源存储与转换材料技术领域。本发明首先原位合成碳纳米管增强金属有机框架ZIF‑67，再进行低温可控限域反应先碳化再硫化，制备具有表面官能团修饰和多孔结构的微米二硫化钴复合材料。该方法合成的二硫化钴均匀封装在多孔碳骨架中，拥有大比表面积和丰富的孔径适宜的孔隙，并且继承了金属有机框架和碳纳米管的表面官能团结构。该方法合成的微米二硫化钴复合材料作为电极，有效抑制伴随充放电过程材料的副反应、体积膨胀和中间产物溶解等现象，促进嵌入‑转换‑赝电容混合储能协同作用，呈现高比容量、高体积能量密度和优异的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 微米 硫化 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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