[发明专利]泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料、耐低温超级电容器及其制备方法在审
| 申请号： | 202010693487.1 | 申请日： | 2020-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN112053856A | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 焦杨;熊姗姗;王灵丹;陈叶雯;屠莲红;徐艳超;陈建荣 | 申请（专利权）人： | 浙江师范大学 |
| 主分类号： | H01G11/46 | 分类号： | H01G11/46;H01G11/30;H01G11/86;C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 321004 *** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
本发明涉及一种耐低温超级电容器电极材料领域，尤其涉及一种泡沫镍负载缺陷型四氧化三钴纳米材料、耐低温超级电容器及其制备方法，包括以下步骤：将醋酸钴溶于乙二醇溶液中，搅拌均匀得到粉色的透明溶液；将十六烷基三甲基溴化氨加入到所述粉色的透明溶液中，搅拌至溶解，得到混合溶液；将所述混合溶液放入内衬为聚四氟乙烯的反应釜内，并向所述反应釜内加入预处理的泡沫镍进行水热反应，反应结束后取出泡沫镍，反复超声清洗后进行干燥处理；对干燥处理后的泡沫镍进行热处理，本发明制备得到生长在泡沫镍上的缺陷型四氧化三钴(D‑Co |
||
| 搜索关键词： | 泡沫 负载 缺陷 氧化 纳米 材料 低温 超级 电容器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江师范大学，未经浙江师范大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010693487.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
