[发明专利]基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd:YAG晶体的方法有效

专利信息
申请号: 202010591640.X 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN111519242B 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 顾跃;毛世平;丁雨憧 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: C30B15/06 分类号: C30B15/06;C30B29/28
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 代理人: 胡逸然
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;50
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摘要: 发明公开了基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd:YAG晶体的方法,其具体的工艺过程包括配料、装炉、抽真空及充气、升温、引晶、晶体放肩生长、晶体等宽生长、降温及原位退火、取出晶体等9个过程。本发明利用横向平移结晶法,同时具有定向结晶法和垂直区熔法的优点,制备Ce,Nd:YAG晶体具有成本低、生长周期短、晶体质量高、产品均一性好、无核心侧心、产品利用率高等优势。
搜索关键词: 基于 横向 平移 结晶 法制 尺寸 ce nd yag 晶体 方法
【主权项】:
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