[发明专利]基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd:YAG晶体的方法有效
申请号: | 202010591640.X | 申请日: | 2020-06-24 |
公开(公告)号: | CN111519242B | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 顾跃;毛世平;丁雨憧 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
主分类号: | C30B15/06 | 分类号: | C30B15/06;C30B29/28 |
代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人: | 胡逸然 |
地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd:YAG晶体的方法,其具体的工艺过程包括配料、装炉、抽真空及充气、升温、引晶、晶体放肩生长、晶体等宽生长、降温及原位退火、取出晶体等9个过程。本发明利用横向平移结晶法,同时具有定向结晶法和垂直区熔法的优点,制备Ce,Nd:YAG晶体具有成本低、生长周期短、晶体质量高、产品均一性好、无核心侧心、产品利用率高等优势。 | ||
搜索关键词: | 基于 横向 平移 结晶 法制 尺寸 ce nd yag 晶体 方法 | ||
【主权项】:
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