[发明专利]一种具有混合阳离子和混合阴离子的钙钛矿发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010589013.2 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN111916572B 公开(公告)日: 2022-03-29
发明(设计)人: 陈江山;马东阁;晋光荣;杨德志;乔现锋 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/52;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 郭炜绵
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种具有混合阳离子和混合阴离子的钙钛矿发光二极管及其制备方法,该钙钛矿发光二极管依次包括电极1、传输层1、钙钛矿发光层、传输层2和电极2;所述钙钛矿发光层为具有混合阳离子和混合阴离子的金属卤化物钙钛矿发光材料,该材料由LX、AX和BX2制备得到,其中L为有机胺离子,A为一价阳离子,B为二价金属阳离子,X为I、Br、Cl、SCN、TFA或CH3COO中的两种以上,且至少包括一种卤素离子。本发明通过混合阳离子和混合阴离子的组分调控策略,减少了钙钛矿阳离子空位和阴离子空位的形成,降低了钙钛矿缺陷态密度,抑制了空位缺陷造成的非辐射复合,从而提高了PeLEDs发光效率。
搜索关键词: 一种 具有 混合 阳离子 阴离子 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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