[发明专利]利用非免洗料制作硅芯的方法在审
| 申请号： | 202010573411.5 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111676510A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 余涛;冉祎;杨成;李川;陈井建 | 申请（专利权）人： | 四川永祥多晶硅有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/00 | 分类号： | C30B13/00;C30B29/06;B28D5/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张子宽 |
| 地址： | 614800 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种利用非免洗料制作硅芯的方法，包括如下步骤：S1：对非免洗料进行清洗、烘干；S2：对非免洗料进行单晶拉制，将非免洗料拉制成单晶棒料；S3：对单晶棒料进行整形，整形成硅芯母料；S4：对硅芯母料进行多晶拉制，形成硅芯。或者是包括如下步骤：T1：对非免洗料进行清洗、烘干；T2：对非免洗料进行多晶铸锭，形成铸锭件；T3：切割铸锭件，形成硅芯。本发明将非免洗料清洗、烘干后采取了两种方案将非免洗料转化为硅芯料，第一种是采取单晶拉制、整形、多晶拉制的方法。第二种是采取多晶铸锭、切割铸锭件的方法。通过以上两种方法就可将非免洗料转化为硅芯。如此，提升了非免洗料的价值。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 非免洗料 制作 方法 | ||
【主权项】：
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- 黄美松;黄培;王志坚;刘华;马小波;张闻扬;赵瑞山;邓月华 - 湖南稀土金属材料研究院
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- 本发明公开了一种稀土金属单晶的制备方法。该方法包括：将稀土金属料棒安装在三电极电弧区域熔炼炉中，其中，稀土金属为Sc、Lu、Er、Y，Gd、Tb、Dy、Ho、Tm中的一种；抽真空至1Pa以下，充入氩气至5～80kPa；对料棒加热，待熔区出现后，以0.01～5mm/min的区熔速度，0～20r/min的旋转速度，对料棒进行第一次区熔；待第一次区熔完成后，停止加热，冷却；待料棒冷却后将料棒移动到初始位置，重复区熔一次或多次，得到稀土金属单晶。本发明可以制备得到尺寸范围Φ4～12mm的稀土金属单晶，且制备周期短，成材率高。
- 均匀晶锭溶质的方法、成分均匀的晶锭的制备方法和合金晶锭-202110545193.9
- 杨华琳;金应荣;陈巧;贺毅;刘婷;张勤勇;陈伟;杨宏玉;黄巍 - 西华大学
- 2021-05-19 - 2022-03-29 - C30B13/00
- 本发明涉及材料加工技术领域，公开了均匀晶锭溶质的方法、成分均匀的晶锭的制备方法和合金晶锭。均匀晶锭溶质的方法，包括：进行多根原料锭的区域熔炼，每根区域熔炼后将最后一个熔区凝固后的部分晶锭截下，作为下一根区域熔炼的原料锭的一部分，并作为下一次区域熔炼的起始部分进行区域熔炼，如此循环。成分均匀的晶锭的制备方法，包括：以上述均匀晶锭溶质的方法处理原料锭。合金晶锭，采用本申请提供的制备方法制得。按照本申请提供的方法处理或制备合金锭，可得到成分均匀，性能均匀、稳定性好的合金晶锭。该方法循环区域熔炼次数越多，得到的晶锭均匀性越好。且该方法不存在除头去尾的现象，不存在原料浪费问题。
- 一种优化热场的固化毡导流筒结构-202122116481.0
- 张晓卉;温长英 - 辽宁兴汇碳材料科技有限公司
- 2021-09-03 - 2022-02-15 - C30B13/00
- 本实用新型公开了一种优化热场的固化毡导流筒结构，涉及单晶硅制备导流筒设备技术领域，包括外导流筒，所述外导流筒的下端设有限位环，所述外导流筒的上端设有限位连接盘，所述外导流筒的内部设有内导流筒，所述内导流筒的下端设有卡接环，所述卡接环与所述限位环卡接，所述内导流筒的上端设有固定连接盘，所述固定连接盘与所述限位连接盘卡接，所述内导流筒的上壁开设有多个流通槽，所述内导流筒的内表面设有多个导流翼，所述外导流筒与所述内导流筒之间设有固化毡保温层，通过导流槽向内导流筒下端导入高温气体，使得熔池中心与边缘的温度梯度差保持较小状态，避免内部热应力变大致使单晶炸裂的现象发生。
- 一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法-202111243920.2
- 郑万超;张伟才;冯旭;张瀚文;李聪;刘洪;李明佳 - 中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 2021-10-26 - 2022-01-18 - C30B13/00
- 本发明公开了一种拉制高电阻率区熔单晶硅的工艺方法，包括：多晶料对中、籽晶安装、封炉、抽真空、通氩气、预热、化料引晶、拉细颈、扩肩、转肩、等径保持及收尾工艺，在等径保持工艺中增加正反转工艺，当熔区液面稳定后，开启正反转功能，设定顺时针转动、逆时针转动的时间分别为10 s和20 s，然后继续进行等径保持过程；同时单晶硅所用多晶料为高纯度Wacker多晶硅料，其电阻率高于10000Ω·cm，杂质含量的具体参数要求如下：C含量≤60 ppba，B含量≤40 ppta，P含量≤120 ppta，As含量≤6 ppta。本发明方法简单、实用，可以满足对高于电阻率10000Ω·cm单晶硅的需求。
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