[发明专利]一种氧化镓光电探测器及其制备方法有效
| 申请号： | 202010571256.3 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111710734B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 赵晓龙;谭鹏举;侯小虎;徐光伟;龙世兵 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/0352 | 分类号： | H01L31/0352;H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周天宇 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种氧化镓光电探测器，包括：衬底(100)；下电极(200)，设于所述衬底(100)表面；氧化镓层(300)，设于所述下电极(200)的表面，所述氧化镓层(300)的顶面设有多个沟槽；上电极(400)，覆盖所述氧化镓层(300)的顶面以及沟槽的底面和侧面。另一方面本公开还提供了一种氧化镓光电探测器的制备方法。本申请的氧化镓光电探测制备工艺简单，同时实现高的响应度和快的响应速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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