[发明专利]一种基于单孔隙率流体输运模型的间质内磁流体浓度分布预测方法有效
| 申请号： | 202010532488.8 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN111666692B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 汤云东;金涛 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F113/08 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 钱莉;蔡学俊 |
| 地址： | 350108 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于单孔隙率流体输运模型的间质内磁流体浓度分布预测方法，通过引入单孔隙率流体输运模型，首先得到组织的间质压力分布；接着以该间质压力分布作为纳维叶‑斯托克斯方程的输入，求解磁流体注射入间质过程中磁流体在间质内的流动速度，之后通过应用对流‑扩散方程便可获得磁流体在组织间质内的浓度分布。本发明假定组织间质为单孔隙率情况下，实现了通过多物理场耦合的方式来模拟磁流体注射过程对间质内磁纳米粒子分布的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 孔隙率 流体 输运 模型 间质 浓度 分布 预测 方法 | ||
【主权项】：
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