[发明专利]一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法有效
| 申请号： | 202010522203.2 | 申请日： | 2020-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN111613496B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 樊鹤红;杜航;包正强;孙小菡 | 申请（专利权）人： | 东南大学;南京三乐集团有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/14 | 分类号： | H01J1/14;H01J1/20;H01J9/04 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 金诗琦 |
| 地址： | 211102 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石墨烯覆膜钡钨阴极及其制备方法，所述石墨烯覆膜钡钨阴极包括石墨烯层和B型钡钨阴极层，B型钡钨阴极层的上表面覆石墨烯层，B型钡钨阴极层置于支撑筒内，支撑筒内的B型钡钨阴极层下设置灯丝。所述制备方法包括以下步骤：(1)制备B型钡钨阴极；(2)在衬底生长石墨烯一侧覆TRT，通过溶液腐蚀去除衬底，保留石墨烯，将覆有石墨烯的TRT清洗，烘干；(3)在温控台上放置石墨烯/TRT膜，B型钡钨阴极倒置其上，控制温度达到TRT热剥离温度，再将阴极取开，石墨烯附着在阴极表面。本发明有利于降低钡钨阴极表面逸出功，估计逸出功可达1.9eV以下，相比B型阴极，可以提升发射能力，或降低工作温度以延长阴极使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 烯覆膜钡钨 阴极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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