[发明专利]具有背腔结构的器件及其形成方法有效

专利信息
申请号: 202010501061.1 申请日: 2020-06-04
公开(公告)号: CN111620300B 公开(公告)日: 2023-07-28
发明(设计)人: 王红海;刘国安;吕林静 申请(专利权)人: 绍兴中芯集成电路制造股份有限公司
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 曹廷廷
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明提供了一种具有背腔结构的器件及其形成方法。在刻蚀衬底以形成背腔时利用保护层覆盖功能层,并在形成背腔后可直接利用刻蚀工艺去除所述保护层,从而在去除保护层时不会对功能层造成较大的撕扯,避免了功能层被破坏的问题。
搜索关键词: 具有 结构 器件 及其 形成 方法
【主权项】:
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  • 本发明实施例提供了一种具有粗糙表面的硅片的制备方法以及硅片,解决了现有技术中硅片的光滑表面与其他膜层的表面接近时,容易产生粘滞力的技术问题。本发明实施例提供的一种具有粗糙表面的硅片的制备方法,在经过平面抛光的硅的表面上沉积一层多孔氧化物膜层,然后采用XeF2气相刻蚀的方式对第一硅平面层进行刻蚀,XeF2气体穿过多孔氧化物膜层后再对第一硅平面层进行刻蚀时,不规则的刻蚀第一硅平面层,因此,经过第一次刻蚀后的第一硅平面层的表面粗糙度较大,因此,当该硅片在与其他膜层相近时,降低了两个接近的表面之间产生的粘滞力,提高了MEMS器件的灵敏度,降低了MEMS器件无法使用的概率。
  • 一种阶梯状环形超疏水槽的制备方法-202110554036.4
  • 李村;赵玉龙;徐瀚洋 - 西安交通大学
  • 2021-05-20 - 2023-10-03 - B81C1/00
  • 一种阶梯状环形超疏水槽的制备方法,先通过清洗、匀胶、光刻、刻蚀在单晶硅片表面刻蚀出底部环形沟槽;然后通过重复匀胶、光刻在单晶硅片表面形成宽度大的上部光刻胶环形沟槽,上部光刻胶环形沟槽和底部环形沟槽形成阶梯状环形沟槽;最后通过去胶使上部光刻胶环形沟槽内壁形成粗糙的超疏水表面,得到阶梯状环形超疏水槽;可制备具有较为复杂的阶梯状环形超疏水槽,且水银液滴在阶梯状环形超疏水槽内部具有较大的接触角和较小的滚动角。
  • 晶圆的沟槽特征上的保护性涂层及其制造方法-201780040755.6
  • M.VA.苏万托 - 罗伯特·博世有限公司
  • 2017-06-27 - 2023-10-03 - B81C1/00
  • 提供了一种用于保护晶圆免受由于对所述晶圆进行切割、分割或处理而导致的潮湿和碎屑的涂层。一种半导体传感器设备包括:具有表面和至少一个沟槽特征的晶圆,以及覆盖所述沟槽特征的保护性涂层。所述沟槽特征包括多个壁,并且用所述保护性涂层覆盖所述多个壁,其中所述沟槽特征的所述多个壁形成为所述半导体传感器设备的部分。所述半导体传感器设备进一步包括在形成所述沟槽特征之前在所述晶圆上形成的图案化掩膜,其中所述保护性涂层直接形成到所述沟槽特征和所述图案化掩膜。所述半导体传感器设备是从下述各项组成的组中选择的:MEMS管芯、传感器管芯、传感器电路管芯、电路管芯、压力管芯、加速度计、陀螺仪、麦克风、扬声器、换能器、光学传感器、气体传感器、辐射热测量计、巨型磁阻传感器(GMR)、隧道磁阻(TMR)传感器、环境传感器和温度传感器。
  • 一种多级的微纳米台阶结构的加工方法-202310741391.1
  • 贾宪生;张子旸;陈红梅 - 青岛翼晨镭硕科技有限公司
  • 2023-06-21 - 2023-09-29 - B81C1/00
  • 本发明公开了一种多级的微纳米台阶结构的加工方法,包括:在所需加工的晶圆表面涂覆光刻胶;采用掩膜版对光刻胶进行光刻处理;掩膜版包括多个圆孔阵列,圆孔阵列的圆孔直径和周期依据微纳米台阶深度设计,所述圆孔直径越大台阶深度越深;对晶圆进行一次刻蚀,使晶圆上形成多个圆孔阵列;去除晶圆上光刻胶;对晶圆进行二次刻蚀,去除晶圆上圆孔阵列的圆孔侧壁,形成多级微纳米台阶结构;本发明通过在设计具有不同直径和周期圆孔的圆孔阵列的掩膜版,在晶圆上仅经过一次刻蚀形成不同深度圆孔阵列,再经二次刻蚀去除圆孔整列的圆孔侧壁形成不同高度的微纳米台阶,可适用于多层级和大高度差高深度的台阶制造。
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