[发明专利]适用于任意波长的选择性吸收/发射器件构造方法及系统有效

专利信息
申请号: 202010475596.6 申请日: 2020-05-29
公开(公告)号: CN111580268B 公开(公告)日: 2021-10-15
发明(设计)人: 赵长颖;刘梦琦 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G02B27/00 分类号: G02B27/00;G02B5/00
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 胡晶
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供了一种适用于任意波长的选择性吸收/发射器件构造方法及系统,包括:步骤S1:将亚波长尺度的介电光栅层和高反射基底层构建成设定结构;步骤S2:选择介电光栅的几何尺寸,包括宽度w和厚度t,满足一定倍数关系;步骤S3:将周期沿着x方向,使得入射光为p偏振,入射波矢沿y轴负方向,入射电场Ex沿着x方向,入射磁场Hz沿z方向,其中,p为亚波长尺度光栅结构的周期;步骤S4:设定结构能有效地将电磁辐射能量集中在光栅平面内。本发明解决了现有的吸收(发射)器件依赖于贵金属材料或者多层膜结构造价和尺度较大的问题。
搜索关键词: 适用于 任意 波长 选择性 吸收 发射 器件 构造 方法 系统
【主权项】:
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