[发明专利]具有热沉结构的GaN器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010469000.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN111584346B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | 莫炯炯;王志宇;陈华;刘家瑞;郁发新 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/322;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有热沉结构的GaN器件及其制备方法，该器件依次包括：Cu热沉衬底、CuIn金属间化合物层、种子层、粘附层、SiC衬底层及功能层。通过裂解工艺，利用离子注入在SiC衬底层内形成缺陷层，然后在应力诱导产生层的应力作用下使SiC衬底层在缺陷层处裂解，达到衬底减薄的效果同时还可回收SiC衬底，节省工艺成本，且SiC衬底层减薄的厚度可以通过离子注入的能量、剂量来确定，工艺简单，更避免了现有采用研磨工艺减薄过程中引入的杂质颗粒；另外，利用Cu/In合金键合，缓解了热沉结构键合过程中功能层开裂的风险，工艺可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 结构 gan 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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