[发明专利]一种LDO的输出电流采样电路及采样精度调整方法有效

专利信息
申请号: 202010417480.7 申请日: 2020-05-18
公开(公告)号: CN111474975B 公开(公告)日: 2021-08-31
发明(设计)人: 王建平;戴义红;杨昀;梁恩主 申请(专利权)人: 成都市易冲半导体有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 胡川
地址: 610000 四川省成都市天府新区中国(四川)自由贸*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种LDO的输出电流采样电路及采样精度调整方法,LDO包括输出MOS管,其源极为电压输出端,漏极连接输入电压,该电路包括采样MOS管、运算放大器、反馈MOS管、分压电阻、可调电阻、采样电阻、第一电流输出单元和第二电流输出单元,采样MOS管栅极通过分压电阻连接输出MOS管栅极、漏极连接输入电压、源极连接可调电阻一端,运算放大器反相输入端连接电压输出端、同相输入端连接可调电阻调节端、输出端连接反馈MOS管的栅极,反馈MOS管的漏极连接可调电阻另一端、源极连接采样电阻,两个电流输出单接入在分压电阻与采样MOS管栅极之间。本发明能够大幅提高MOS管工作于饱和区和深线性区时的电流采样精度。
搜索关键词: 一种 ldo 输出 电流 采样 电路 精度 调整 方法
【主权项】:
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