[发明专利]一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法有效
| 申请号： | 202010384746.2 | 申请日： | 2020-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN111593310B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 朱嘉琦;张昕宇;杨磊;杨振怀;闵萍萍;张森 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/18;C23C14/16 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 岳泉清 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种利用磁控溅射制备高光电稳定性透明导电膜的方法，本发明涉及制备透明导电膜的方法。本发明要解决现有Ag基多层薄膜在长期或高温条件下会发生光电性能劣化的问题。方法：一、将AZO靶材、Ni靶材及Ag靶材安装在多靶磁控溅射设备的靶位上，抽真空；二、AZO靶材溅射直至第一AZO层厚度为25nm～55nm，Ag靶材溅射直至Ag层厚度为6nm～10nm，Ni靶材溅射直至Ni层厚度为2nm～4nm，AZO靶材溅射直至第二AZO层厚度为25nm～55nm；三、关闭所有电源，取样。本发明可用于太阳能电池的电极、平板显示器等对透明导电薄膜有高光电性能及优异稳定性需求的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 利用 磁控溅射 制备 光电 稳定性 透明 导电 方法 | ||
【主权项】：
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