[发明专利]一种金属-SAM-有机半导体复合结构及制备方法和电子器件中的应用有效

专利信息
申请号: 202010285270.7 申请日: 2020-04-13
公开(公告)号: CN111477744B 公开(公告)日: 2022-04-22
发明(设计)人: 王鑫煜;樊弘昭 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: H01L51/30 分类号: H01L51/30;H01L51/46;H01L51/54;H01L51/10;H01L51/44;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/40;H01L51/48
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 张晓鹏
地址: 250061 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明属涉及一种金属‑SAM‑有机半导体复合结构及制备方法和电子器件中的应用。包括金属层、自组装单分子层、有机半导体层,SAM位于金属层和有机半导体层之间,SAM由端部基团为硫基的物质组成,分子式为HS(CH2)nR,n为SAM分子碳链长度,R为极性官能团,SAM的硫元素与金属层在界面处通过化学键连接。制备方法为制备金属层,将金属层浸入SAM的溶液中,得到表面组装SAM膜的金属层;然后在SAM膜的表面形成有机半导体层。有机半导体层的制备方法为真空蒸镀法或硅基底沉积转印法。显著提高界面处热量传递效率,对于改善有机电子器件的散热性能具有重要意义。
搜索关键词: 一种 金属 sam 有机半导体 复合 结构 制备 方法 电子器件 中的 应用
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