[发明专利]一种利用多元合金提纯多晶硅的方法在审

专利信息
申请号: 202010280914.3 申请日: 2020-04-10
公开(公告)号: CN111472048A 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 王烨;李琪鹏;曾治华;韩子柯;李国平;袁熙志;陶冶;钟艳君 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C30B28/06 分类号: C30B28/06;C30B29/06;C30B30/02;C30B30/04;C01B33/037
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 51202 代理人: 李俊
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种利用多元合金提纯多晶硅的方法,涉及多晶硅提纯技术领域,解决了现有技术中利用高熵合金提纯多晶硅存在的能耗大、通过定向凝固的方法使硅相和高熵合金相分开导致的除硼效果有限的技术问题。本发明利用多元合金提纯多晶硅的方法包括如下步骤:a、将包括多种金属的多元合金与原料硅混合,在真空或惰性气氛中加热至熔融,利用多元合金相与硅相的密度差使两相分离,同时在真空感应炉中利用电磁场强化多元合金相与硅相的传质作用;b、待传质达到平衡后冷却至室温,将硅与多元合金分离,得到提纯后的多晶硅与含硼多元合金。本发明利用多元合金提纯多晶硅的方法不需要对多元合金进行预处理,同时可制得符合要求的太阳能级多晶硅。
搜索关键词: 一种 利用 多元 合金 提纯 多晶 方法
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  • 本发明提供了一种测量晶体硅铸锭过程中温度梯度的方法,包括:(1)提供测试棒和坩埚,坩埚中装有硅熔体,将测试棒置于硅熔体中,向上提拉,测试测试棒在硅熔体中的拉力值F1;(2)调节温度进入长晶阶段,使硅熔体开始形核结晶形成晶体硅,此时坩埚中包括晶体硅、糊状区和未结晶的硅熔体,将测试棒伸入坩埚中并下降直至到达晶体硅的位置,然后将测试棒向上提拉,提拉的速度与步骤(1)的提拉速度相同,实时监测测试棒在提拉过程中的拉力值F变化;当拉力值F与F1相同时,停止提拉,测试此时测试棒的提升高度,提升高度即为糊状区的厚度L;(3)按照公式G=(TL–Ts)/L计算出温度梯度G与糊状区厚度L的数量关系,TL–Ts代表硅熔体TL与晶体硅Ts的温度差。
  • 一种可移动式多晶生产用二次加料装置-202223187626.7
  • 周科;唐明 - 宁夏银佳新能源有限公司
  • 2022-11-29 - 2023-05-09 - C30B28/06
  • 本实用新型实施例提供的一种可移动式多晶生产用二次加料装置,涉及多晶硅生产领域。一种可移动式多晶生产用二次加料装置包括多晶硅铸锭炉组件和二次加料组件。多晶硅铸锭炉组件100用于铸造晶体,二次加料组件200用于加料和二次加料。在二次加料前,先通过进料管将物料装载到储料仓,需要二次加料时通过主泵角阀将物料从储料仓依次缓慢的下落到出料管、缓冲仓和下料管从而到达多晶硅铸锭炉本体内,完成二次加料,通过设置储料仓能使二次加料时一次性投放较多的物料,通过设置储料仓等多处的下落缓冲结构,能够有效的减缓物料从储料仓的下落速度,从而减少炉中融化硅料的过程中发生飞溅的情况,从而提升晶体品质。
  • 一种具有冷却结构的多晶硅凝固设备-202223468104.4
  • 姚玖洪;马艳红;邓云 - 扬州嘉辉新能源有限公司
  • 2022-12-26 - 2023-05-09 - C30B28/06
  • 本实用新型公开了一种具有冷却结构的多晶硅凝固设备,本实用新型包括多晶硅凝固设备本体,所述多晶硅凝固设备本体的外部设置有罩子,所述罩子的顶端固定连接有支撑板,所述支撑板底部的一端固定连接有支撑架,所述支撑架的顶端固定连接有冷风机,所述冷风机的抽风端固定连接有抽风管,所述冷风机的出风端固定连接有出风管,所述出风管的一端设置有分流管,所述分流管的内侧壁与出风管的内侧壁固定连接,所述分流管的一端贯穿罩子的内部。本实用新型通过部件之间的相互配合,方便了该种具有冷却结构的多晶硅凝固设备内冷风机与分流管对多晶硅凝固设备本体表面的冷却散热,提高了该种具有冷却结构的多晶硅凝固设备的散热性。
  • 一种氮化硅坩埚-202223141958.1
  • 刘立新;简城梁;何家雍;王中然;钟勇 - 长沙新立硅材料科技有限公司
  • 2022-11-25 - 2023-05-05 - C30B28/06
  • 本实用新型公开了一种氮化硅坩埚,包括:坩埚本体,所述坩埚本体的底部中央开有贯通的孔洞;石墨堵头,所述石墨堵头可拆卸地封堵在所述孔洞上。本申请从氮化硅坩埚的结构入手,所述坩埚本体的底部中央开有贯通的孔洞,所述石墨堵头可拆卸地封堵在所述孔洞上,可在铸锭完成后,将氮化硅坩埚翻转,打开可拆卸的石墨堵头,利用底部开孔用脱模装置可实现硅锭的无损脱模。
  • 一种多晶硅铸锭生长控制装置-202223355686.5
  • 徐建均;周同义;王强 - 南通友拓新能源科技有限公司
  • 2022-12-13 - 2023-04-11 - C30B28/06
  • 本实用新型公开了一种多晶硅铸锭生长控制装置包括铸锭装置本体、硅料生长坩埚、坩埚加热装置、坩埚水冷系统、坩埚隔热笼、装置真空泵、内腔通气阀、生长控制主机,在硅料生长坩埚的顶部和底部均设置有温度传感器,通过温度传感器实时监测多晶硅的生长情况,保证可以制得纯净度较高的多晶硅,本实用新型的坩埚水冷系统由顶部水冷系统、侧面水冷系统、底部水冷系统三个系统组成且三个部分均独立控制,独立控制的水冷系统可以控制硅料生长坩埚内部的温度差,提高了其结晶效率。
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