[发明专利]半导体器件及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202010279205.3 申请日: 2020-04-10
公开(公告)号: CN113140470A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 吴俊毅;余振华 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488
代理公司: 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 代理人: 薛恒;王琳
地址: 中国台湾新竹科学工业园区新*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 本文阐述一种半导体器件及其制造方法,特别是一种系统封装的制造方法。所述系统封装包括具有多个分立内连线结构的集成衬底。所述多个分立内连线结构被放置及包封,并且具有在所述多个分立内连线结构之间形成的间隙。所述系统封装会减少封装翘曲及减轻板级可靠性的问题。
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【主权项】:
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