[发明专利]一种用于形成半导体器件的方法

摘要

根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括：提供一种半导体基材，所述半导体基材包括：在垂直通道场效应晶体管(FET)器件区域中的第一层结构，所述第一层结构包括：下半导体层、在下半导体层上的中间半导体层和在中间半导体层上的上半导体层；以及在水平通道FET器件区域中包括至少一个半导体层的第二层结构，其中，第一层结构和第二层结构具有不同的组成，并且垂直通道FET器件区域中的基材表面与水平通道FET器件区域中的基材表面共平面；形成掩模，所述掩模限定了VFET器件区域上的第一半导体结构掩模部分和水平通道FET器件区域上的第二半导体结构掩模部分；以及在使用掩模作为蚀刻掩模的同时通过同时对第一层结构和第二层结构进行蚀刻来使第一层结构和第二层结构图案化，由此：在垂直通道FET器件区域中形成垂直通道FET器件的第一半导体结构，所述第一半导体结构包括下层部分、中间层部分和上层部分；并且在水平通道FET器件区域中形成水平通道FET器件的第二层半导体结构。