[发明专利]一种硒硫化镉多晶的合成方法有效

专利信息
申请号: 202010233397.4 申请日: 2020-03-29
公开(公告)号: CN111349968B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 黄巍;何知宇;陈宝军;赵北君;朱世富;伍俊 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C30B28/14 分类号: C30B28/14;C30B29/48
代理公司: 成都科海专利事务有限责任公司 51202 代理人: 黄幼陵
地址: 610065 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种硒硫化镉多晶的合成方法,所述硒硫化镉多晶为CdSxSe1‑x多晶或Cr:CdSxSe1‑x多晶,合成CdSxSe1‑x多晶时,以高纯度的CdSe和CdS为原料,合成Cr:CdSxSe1‑x多晶时,以高纯度的CdSe、CdS和CrSe为原料,工艺步骤:(1)合成容器的清洗与干燥,(2)装料与封结,(3)合成,合成容器为双层石英安瓿,合成在可倾斜和转动的两区域加热管式炉中进行,采用双温区气相合成与温度振荡相结合的工艺,合成完成后将合成炉倾斜使合成容器中的合成产物位于合成容器下端并进行降温,降温过程中控制合成容器上端的温度高于合成容器下端的温度。上述方法可大幅度提高硒硫化镉多晶的单次合成量,得到化学结构单一无杂峰的硒硫化镉多晶。
搜索关键词: 一种 硫化 多晶 合成 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川大学,未经四川大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010233397.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法-202010053354.8
  • 丁雄傑;王忠强;王琦;张国义 - 北京大学东莞光电研究院
  • 2020-01-17 - 2023-10-24 - C30B28/14
  • 本发明涉及晶体合成技术领域,具体涉及一种生长金刚石多晶膜用样品托及金刚石多晶膜生长方法,本发明的样品托顶部开设有用于放置衬底的容置槽,样品托底部设有由若干个同心圆环间隔分布形成的花纹,若干个同心圆环包括有实心圆环带和空心圆环带,本发明的样品托采用非对称式底部花纹,利用非均匀的底部散热来补偿由于等离子体球倾斜或偏移所导致的金刚石生长衬底的受热不均匀,可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长;本发明的生长方法,采用上述结构的样品托进行生长,工艺简单,容易生长,可实现大面积金刚石多晶膜的高质量均匀生长。
  • 一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用-202310913101.7
  • 郭超;黄秀松;母凤文 - 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
  • 2023-07-25 - 2023-10-13 - C30B28/14
  • 本发明提供一种复合碳化硅衬底及其制备方法和应用,属于半导体技术领域,所述制备方法包括以下步骤:在中间牺牲层的表面两侧制备单晶碳化硅薄层,分别记为第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层,所述第一单晶碳化硅薄层和第二单晶碳化硅薄层分别与所述中间牺牲层键合连接,得到键合组件;在所述键合组件的表面两侧生长多晶碳化硅层,所述多晶碳化硅层中含有游离C相;去除所述键合组件中的中间牺牲层,得到两个所述复合碳化硅衬底。该制备方法可避免多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间的接合界面,成功率高,成本低。基于该方法制备的复合碳化硅衬底具有较低的电阻率,多晶碳化硅层和单晶碳化硅薄层之间结合紧密、牢固,可实现工业化生产。
  • 一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法-202310791533.5
  • 彭建明 - 上海中欣晶圆半导体科技有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-09-29 - C30B28/14
  • 本发明涉及一种LPCVD工艺所制备多晶硅膜内体镍含量管控的方法,所述方法包括以下步骤:将硅片依次经过CP前洗净、CP腐蚀、CP后洗净、LP前洗净后,进行LPCVD;本发明提供的方法在硅片上沉积多晶硅膜前,控制硅片浅表层内的镍含量,将硅片浅表层内的金属镍作为多晶硅膜内体镍的重要来源加以控制。控制沉积多晶硅膜前的硅片浅表层内的金属镍含量,即使在LPCVD机台中沉积多晶硅膜时会有高温(660℃±10℃)和已沉积的多晶硅(具有吸杂效果)的双重作用,也能控制住多晶硅膜内的体镍含量,使多晶硅膜内体镍(Ni)含量稳定的远低于1E14atoms/cm3,从而提高了产品良率,并使客户端器件的功能得到有力保障。
  • 多晶硫化锌化学气相沉积系统及方法-202310680612.9
  • 于金凤;陈小民;陈毅明;刘羊 - 安徽光智科技有限公司
  • 2023-06-08 - 2023-09-12 - C30B28/14
  • 提供一种多晶硫化锌化学气相沉积系统及方法。多晶硫化锌化学气相沉积系统包括化学气相沉积炉、熔硫装置、熔锌装置、供气装置、第一管道、第二管道以及抽气装置;化学气相沉积炉包括炉体、沉积室以及加热器;炉体开设有通孔,能够打开和关闭;沉积室位于炉体内且顶部具有穿孔;加热器位于炉体内并位于沉积室周围,加热器用于加热沉积室;熔硫装置位于化学气相沉积炉的炉体外;熔锌装置位于化学气相沉积炉的炉体外;供气装置位于化学气相沉积炉的炉体外;第一管道将熔硫装置和沉积室连通;第二管道将熔锌装置和沉积室连通;沉积室用于使锌蒸汽和硫蒸汽化学气相沉积;抽气装置包括连接管,连接管通孔以及穿孔,抽气装置经由连接管与沉积室连通。
  • 一种PECVD多晶硅镀膜腔体循环温控装置-202320283476.5
  • 郝山凤 - 中润新能源(滁州)有限公司
  • 2023-02-22 - 2023-08-08 - C30B28/14
  • 本实用新型公开了一种PECVD多晶硅镀膜腔体循环温控装置,装置包括用于对镀膜石墨舟底部进行加热的恒温台,恒温台通过螺栓固定在镀膜腔内部,恒温台上设有用于对镀膜石墨舟多区域温控调节的第一温控机构和用于对镀膜石墨舟多区域进行温控感应的第二温控机构,旨在对镀膜石墨舟多区域循环温控感应,设置多个加热温控点,实现石墨舟镀膜分散式定点循环控温,控制多晶硅镀膜温度一致化,避免多晶硅镀膜时出现温度误差,影响硅片镀膜的效率。
  • 一种硒化锌制备设备-202320774025.1
  • 李广敏;张华芹;张冬翔;韩磊 - 上海韵申新能源科技有限公司
  • 2023-04-10 - 2023-08-04 - C30B28/14
  • 本实用新型公开了一种硒化锌制备设备,包括气相沉积炉,气相沉积炉包括炉体、上炉盖和下炉盖,上炉盖、炉体和下炉盖围设形成炉腔,炉腔内设有坩埚、沉积室、保温层,气相沉积炉连接加热系统、传动系统、抽气系统、进气系统和冷却水循环系统,加热系统用于加热气相沉积炉内温度至气相沉积温度;传动系统用于支撑整套设备和驱动所述下炉盖升降;抽气系统用于对气相沉积炉炉腔内抽真空和保持真空度;进气系统用于原料气体的混合以及气相沉积炉的进料;冷却水循环系统用于冷却气相沉积炉的外表面。本实用新型提供一种硒化锌制备设备,结构合理,能够满足高品质、环保、低成本硒化锌制品的制备工艺,实现稳定,高品质的硒化锌制品生产。
  • 一种高定向热解石墨的制备方法-202110030377.1
  • 肖艳红 - 上海第二工业大学
  • 2021-01-11 - 2023-07-21 - C30B28/14
  • 本发明属于新型碳材料制备领域,具体涉及一种高定向热解石墨的制备方法。该方法通过以下方法实现:将石墨基体首先浸泡于预处理液中,取出后晾干,然后采用化学沉积法,通入甲烷和氮气,得热解石墨板;将热解石墨板降温至700‑750℃时,将其放入磁场,待温度降至100℃时,取出;将磁场处理的热解石墨板取出放置到高压高温炉内,通入惰性气体,进行热处理即可。本发明通过将石墨基材进行预处理,并使用化学气相沉积法制备出热解石墨,在后续热处理的过程中,热解石墨较容易形成更高取向度的高定向热解石墨,且热处理时间相对较短,用较低的成本获得更高质量的高定向热解石墨;石墨基材预先进行磁场化,提高了热解石墨的取向度。
  • 一种绝缘耐高温磨蚀还原炉底盘及其涂层制备方法-202310428261.2
  • 宋鹏;杨明财;金青林;黄太红 - 昆明理工大学
  • 2023-04-20 - 2023-07-18 - C30B28/14
  • 本发明公开了一种绝缘耐高温磨蚀还原炉底盘及其涂层制备方法,属于多晶硅生产技术领域。所述还原炉底盘的表面和电极表面上依次喷涂第一涂层、第二涂层和第三涂层;所述第一涂层由Al2O3、Y2O3和Na2O组成的复合粉末喷涂形成;所述第二涂层由二甲基甲酰胺、聚四氟乙烯和硅溶胶热融覆形成;所述第三涂层由Y2O3、Al2O3、Na2O、ZrO2和钇稳定氧化锆纤维组成的复合粉末喷涂形成;所述第一涂层包括微米级粉末和纳米级粉末。本发明所述绝缘耐高温磨蚀还原炉底盘涂层间结合力强,致密度高,具有优异的耐高温、耐腐蚀、耐磨损、绝缘性好的性能。所述第一涂层具有纳米级颗粒和微米级颗粒的双峰涂层,使得涂层结构更加紧密、开裂韧性和硬度高。
  • 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法-202210673216.9
  • 张森;刘康;刘本建;赵继文;李一村;郝晓斌;代兵;朱嘉琦;韩杰才 - 哈尔滨工业大学
  • 2022-06-14 - 2023-07-07 - C30B28/14
  • 一种金刚石表面金属阵列外延生长获得局域增强色心发光的方法,本发明是为了解决现有CVD制备金刚石内杂质原子浓度过高,色心转换效率过低的问题。金刚石表面金属阵列外延生长方法:一、清洗;二、采用光刻工艺在金刚石基底上沉积复合金属膜,复合金属膜呈间隔的条纹状;三、将带有复合金属膜的金刚石放入CVD生长舱体内,启动微波发生器,升高气压和功率,使金刚石表面温度达到700~1000℃,通入甲烷和掺杂元素气体,进行外延生长。本发明通过在金刚石表面沉积金属图案,通过CVD原位沉积横向外延生长,工艺流程简单,制备得到了高杂质转换率、高荧光强度色心的样品,从而有效提升色心的自旋相干性能。
  • 一种用于人工晶体炉的门扣结构-201710070310.4
  • 刘朝轩;王晨光;史晓伟 - 洛阳金诺机械工程有限公司
  • 2017-02-09 - 2023-05-30 - C30B28/14
  • 一种用于人工晶体炉的门扣结构,本发明涉及人工晶体设备领域,本发明中锁紧拉条(3)被设置在炉室(2)边框的两侧面,锁紧块(6)左右对称地间隔固定在两条锁紧拉条上,炉门(1)两侧边分别设有若干凹槽(17),该凹槽的数量及位置与所述的锁紧块相对应,锁紧面位于每个凹槽的下方并具有一斜面部分,炉门关闭时,锁紧块(6)的一端穿过所述的凹槽抵靠在炉门的锁紧面上,锁紧块的另一端抵靠在炉室的边框上,锁紧拉条向下移动时,锁紧块随之向下移动,依靠所述锁紧面的斜面将炉门紧锁在炉室上,本发明大大提高了人工晶体炉炉门的启闭效率,确保了炉门启闭的可靠性,同时有效避免了对炉门的损害。
  • 长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置-202223264943.4
  • 李卫月;陈俊宏;吴亚娟 - 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
  • 2022-12-06 - 2023-05-05 - C30B28/14
  • 本实用新型公开了一种长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置,装置包括:碳源坩埚,用于盛放碳源;硅源坩埚,用于盛放硅源,硅源坩埚与碳源坩埚并列设置;合成坩埚,合成坩埚内部限定形成密封的腔体,合成坩埚位于碳源坩埚和硅源坩埚的上方,碳源坩埚和硅源坩埚分别通过导流管与腔体连通;反应器,反应器固定于腔体的顶部,反应器上开设有多个合成孔,合成孔内设有诱发结晶的多晶碳化硅颗粒,碳源和硅源升华的碳源蒸气和硅源蒸气分别通过导流管进入到腔体内,在合成孔内反应结晶,合成碳化硅多晶。本实用新型通过碳粉与硅粉的升华,利用碳化硅多晶颗粒做诱发结晶的种子,在反应器的合成孔中结晶,减少合成之后的工艺步骤,提高合成效率。
  • 一种高均匀性硫化锌多晶红外材料的生长方法-202211711335.5
  • 于金凤;刘羊;杨雁培;陈毅明;刘俊俊;江风 - 安徽光智科技有限公司
  • 2022-12-29 - 2023-04-14 - C30B28/14
  • 本发明提供一种高均匀性硫化锌多晶红外材料的生长方法,通过两步沉积法生长化学气相沉积产品,即低温沉积生长一段时间后再高温沉积生长,并合理控制两阶段生长时的部分工艺参数,可以解决在化学气相沉积过程中产品柱状生长因沉积时间过长,造成的前期生长的产品随着沉积时间的延长造成晶粒长大的问题,所得产品的均匀性好,光学性能较好,因而能够制备出均匀的大厚度多晶产品,可以制备厚度在15mm以上的均匀硫化锌产品。
  • 一种掺杂金刚石颗粒及其制备方法与应用-202111078559.2
  • 魏秋平;施海平;施应洁;施帅;施振;周科朝;谭际麟;王宝峰 - 湖南新锋先进材料科技有限公司
  • 2021-09-15 - 2023-04-11 - C30B28/14
  • 本发明公开了一种掺杂金刚石颗粒及其制备方法与应用。所述掺杂金刚石颗粒包括载体颗粒、包覆层,所述载体颗粒为含硼金刚石颗粒或纯金刚石颗粒,所述包覆层为掺杂金刚石薄膜。本发明首创的以高温高压合成的单晶结构的含硼金刚石颗粒作为载体颗粒,在其表面生长多晶的掺杂金刚石薄膜,最终所得掺杂金刚石颗粒具有优异的导电性能,本发明的制备方法简单可控,所用载体颗粒为己商业化的高温高压合成的单晶结构的金刚石颗粒作为载体颗粒,价格低廉,成本低。本发明的掺杂金刚石颗粒具有高的比表面积且对环境无毒理性、信噪比高的特点。本掺杂金刚石颗粒可广泛应用于电化学分析领域、电化学水处理领域。
  • 一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟-202211474676.5
  • 张海英;梁兴勃;董燕军;黄昆;应家敏;雷超 - 浙江金瑞泓科技股份有限公司
  • 2022-11-23 - 2023-04-07 - C30B28/14
  • 本发明涉及一种防止硅片崩边的处理工艺以及操作用石英舟,包括以下操作步骤:步骤一:将清洗干净的石英舟放入多晶炉内(不放硅片),在多晶生长工艺条件下运行设备,使石英舟表面生长一层多晶硅;步骤二:将硅片放置在出现多晶硅的石英舟上,并使得硅片在多晶炉内进行多晶硅的生产;步骤三:将完成达标状态的硅片从石英舟中取下,并换上新的硅片进行生产;步骤四:经过多次生产的石英舟需要取下,并进行清洗,完成后再次重复步骤一至步骤四的操作。本发明具有结构简单、操作成本低、生产效益高、降低了单晶硅片多晶生长过程中崩边的比例等特点。
  • 长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置及合成方法-202211555155.2
  • 李卫月;陈俊宏;吴亚娟 - 江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
  • 2022-12-06 - 2023-03-31 - C30B28/14
  • 本发明公开了一种长晶用高纯碳化硅合成粉的合成装置及合成方法,装置包括:碳源坩埚,用于盛放碳源;硅源坩埚,用于盛放硅源,硅源坩埚与碳源坩埚并列设置;合成坩埚,合成坩埚内部限定形成密封的腔体,合成坩埚位于碳源坩埚和硅源坩埚的上方,碳源坩埚和硅源坩埚分别通过导流管与腔体连通;反应器,反应器固定于腔体的顶部,反应器上开设有多个合成孔,合成孔内设有诱发结晶的多晶碳化硅颗粒,碳源和硅源升华的碳源蒸气和硅源蒸气分别通过导流管进入到腔体内,在合成孔内反应结晶,合成碳化硅多晶。本发明通过碳粉与硅粉的升华,利用碳化硅多晶颗粒做诱发结晶的种子,在反应器的合成孔中结晶,减少合成之后的工艺步骤,提高合成效率。
  • 一种金刚石/金属基复合材料及其制备方法和应用-202111078557.3
  • 魏秋平;周科朝;马莉;黄开塘;李俊 - 中南大学
  • 2021-09-15 - 2023-03-24 - C30B28/14
  • 本发明公开一种金刚石/金属基复合材料制备方法及应用,所述一种高导热金刚石/金属基复合材料包含金刚石增强体、金属基材料,所述金刚石增强体包含金刚石、金刚石表面改性层,所述金刚石表面改性层从内至外依次包括金刚石过渡层,掺杂金刚石外壳层。其制备方法是采用气体压力辅助熔渗工艺技术,以高纯气体为压力源,作用在熔融液态金属基表面,实现金刚石与金属基材料高密度复合;本发明能够有效地克服渗透过程中的毛细管力,实现高压渗流成型,使材料导热系数高,热膨胀系数可调,均匀性更好,可靠性更高。
  • 一种新的硒化锌生长方法-202111178281.6
  • 冯晓青;宁红锋;李扩社;魏乃光 - 山东有研国晶辉新材料有限公司
  • 2021-10-09 - 2023-03-24 - C30B28/14
  • 本发明涉及一种硒化锌的生长方法。本发明采用沸点较低的二烷基锌作为锌源来代替现有技术中的锌粉,二烷基锌比锌粉活性更高,反应更完全,无需通入大过量的硒化氢,可降低生产成本;二烷基锌在沉积室外采取水浴加热方式即可变为蒸气,相比现有技术的高温锌粉加热过程降低了生产能耗;二烷基锌蒸气可被精准控制流量,解决了现有技术中由于锌蒸气温度较高而不便控制流量的问题。此外,本发明采取喷淋的方式使两种反应原料均匀混合,解决了现有技术中锌蒸气难于在沉积室中均匀扩散并与硒化氢气体均匀混合的问题,从而有效改善了由于硒化锌生长速度不可控所造成的产品尺寸较小、厚度不均和热力学性能差等缺陷。
  • 炉管工艺中目标膜层的制备方法-202211503238.7
  • 高勇强;施剑华 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-11-28 - 2023-03-14 - C30B28/14
  • 本发明提供一种炉管工艺中目标膜层的制备方法,包括:在挡片晶圆的衬底上方预先形成预设厚度的目标膜层;将挡片晶圆先后分别与不同批次的产品晶圆在炉管中一同生长目标膜层;挡片晶圆重复使用超过预定次数后,清洗去除挡片晶圆累积生长的目标膜层。本发明在主工艺挡片晶圆与产品晶圆在炉管中一同生长目标膜层之前,在前制程工艺中在挡片晶圆的衬底上方预先形成预设厚度的目标膜层,如此一来,无论新挡片晶圆(未使用过)还是炉管机台内使用过的挡片晶圆二者表面均形成有目标膜层,二者表面膜层材质相同,反应过程的热导率趋于一致,使目标膜层的沉积速率均匀,炉管中不同位置产品晶圆上形成的目标膜层厚度一致,提高片间沉积均匀性。
  • 低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法-202211157224.4
  • 胡良斌 - 广州粤芯半导体技术有限公司
  • 2022-09-22 - 2022-12-13 - C30B28/14
  • 本申请涉及一种低缺陷掺杂多晶硅及其制备方法,其制备方法包括:保护气体氛围下,将多晶硅在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行预沉积,制备掺杂多晶硅预成品;提高沉积压力,将掺杂多晶硅预成品在硅烷和掺杂气体的混合气体下进行主沉积;预沉积有多次,每次预沉积的沉积压力逐次升高;每次预沉积的时间相等。通过在主沉积步骤之前添加沉积压力低于主沉积的沉积压力的预沉积步骤,可以有效减少将压力由底压直接一步升到主沉积压力,直接在主沉积压力下进行掺杂时由于压力相对较高导致的硅原子的扩散聚集,从而改善掺杂多晶硅表面形成大量多晶堆积和凹坑的情况,得到低缺陷掺杂多晶硅。
  • 一种基于LPCVD的多晶硅成型炉-202211036671.4
  • 闫用用;吴新荣;朱守权 - 一道新能源科技(泰州)有限公司
  • 2022-08-29 - 2022-11-18 - C30B28/14
  • 本发明公开了一种基于LPCVD的多晶硅成型炉,涉及多晶硅成型炉技术领域,所述多晶硅成型炉包括底座、炉体,所述炉体安装在底座上,所述炉体两侧分别安装有上料机构和下料机构,炉体内安装有沉降罩和托料箱,所述托料箱位于沉降罩的下方,沉降罩利用气流对反应产物的扩散方向进行牵引和修正,使反应产物均匀落在基片上,使基片表面形成的多晶硅薄膜厚度均匀。沉降罩为可伸缩结构,在一次沉降结束后,沉降罩收缩一次,利用收缩将内壁上附着的颗粒物刮除,提高沉降罩内部的整洁程度,进而提高气相沉积效果,提高多晶硅在基片表面的成型效果。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top