[发明专利]添加三碘化物的钙钛矿薄膜和电池的制备方法及其电池在审
申请号: | 202010219496.7 | 申请日: | 2020-03-25 |
公开(公告)号: | CN111430554A | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 杭州纤纳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/48 | 分类号: | H01L51/48;H01L51/42 |
代理公司: | 杭州奥创知识产权代理有限公司 33272 | 代理人: | 杨文华 |
地址: | 311121 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及三种添加三碘化物的钙钛矿薄膜的制备方法,在钙钛矿薄膜中掺杂三碘离子,实现在较短制备时间内掺杂适量浓度的三碘离子,且不引入其他杂质,参与钙钛矿的分子内交换过程,钝化钙钛矿材料内部缺陷,提升钙钛矿中电荷‑载流子寿命,从而提升钙钛矿材料的性能及稳定性,促进工业化生产。本发明还公开含有该钙钛矿薄膜的钙钛矿电池的制备方法和制备的钙钛矿电池。本发明能够使三碘离子在钙钛矿前驱体溶液中快速融合并辅助结晶,钝化钙钛矿缺陷从而增强电荷载流子寿命,优化空间载流子动力学,并实现更优异的光伏器件性能。 | ||
搜索关键词: | 添加 碘化物 钙钛矿 薄膜 电池 制备 方法 及其 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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