[发明专利]双倍增内线帧转移CCD结构有效
| 申请号： | 202010199402.4 | 申请日： | 2020-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN111193887B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 王小东;钟四成;汪朝敏;李立;熊平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H04N5/372 | 分类号： | H04N5/372;H04N5/378 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 王海军 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及CCD结构技术领域，特别涉及一种双倍增内线帧转移CCD结构，包括倍增像元阵列、存储区阵列、水平转移区以及读出放大器，倍增像元阵列、存储区阵列并排设置在CCD结构的衬底上，存储区阵列通过垂直转移栅与水平转移区连接，水平转移区的末端通过输出节点与读出放大器连接；所述倍增像元阵列中的像元中设置有像元光敏区和像元光敏区一侧的像元垂直转移区；所述像元的光敏区中设置像元倍增栅和像元倍增结构，通过像元倍增栅和倍增结构的时序控制；本发明可同时实现在前端像元级和后级移位寄存器的探测灵敏度提高，使得双倍增IFT CCD有能力实现对微光甚至单光子信号的探测。 | ||
| 搜索关键词： | 双倍 内线 转移 ccd 结构 | ||
【主权项】：
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