[发明专利]基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010191521.5 | 申请日: | 2020-03-18 |
公开(公告)号: | CN111370508B | 公开(公告)日: | 2021-11-16 |
发明(设计)人: | 黎大兵;郭龙;贾玉萍;孙晓娟;蒋科;陈洋;石芝铭;臧行 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H01L31/0304 | 分类号: | H01L31/0304;H01L31/09;H01L31/18;G01J1/42 |
代理公司: | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人: | 曹卫良 |
地址: | 130033 吉林省长春*** | 国省代码: | 吉林;22 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器,为凸台结构,从下至上依次包括衬底,均通过外延技术生长的BN缓冲层、三维BN层、介电层、二维BN层,介电层和二维BN层形成台面;还包括第一电极、第二电极,第一电极设于三维BN层上,第二电极设于二维BN层上;探测器利用光电导型模式,实现红外和紫外探测信号的提取。本发明还提供了上述基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器的制备方法。本发明的基于BN的光电导型同质集成紫外/红外双色探测器的结构简单,利用二维BN光学声子极化效应诱导自由载流子漂移实现红外探测,利用三维BN实现紫外探测,实现了同质集成,且制备工艺简单、可控性强、可批量生产、应用前景广泛。 | ||
搜索关键词: | 基于 bn 电导 同质 集成 紫外 红外 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的