[发明专利]一种顶发射硅基钙钛矿发光二极管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种顶发射硅基钙钛矿发光二极管，以硅片作为器件衬底，在硅片上依次设有底部金属电极、过渡层、空穴传输层、钙钛矿发光层及修饰层、电子传输层、透明电极和增透介质层。本发明还公开了该发光二极管的制备方法：以硅片作为器件衬底，在此基础上蒸镀底部金属电极，之后利用磁控溅射的方法制备一层过渡层，再在过渡层上依次旋涂空穴传输层、钙钛矿发光层、修饰层，旋涂完成后利用真空蒸镀的方式依次制备电子传输层、透明电极及增透介质。该发光二极管解决了p型硅片能带不够匹配的问题；克服了空穴传输层在不同衬底上性状不统一的困难；在保证电流正常注入、不损害钙钛矿层的前提下尽可能提高出光率从而提升器件的外量子效率。