[发明专利]原位合成铜纳米线阵列材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202010131052.8 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN113322490B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 张兵;韩舒艳;刘翠波;李孟阳 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C25C1/12 | 分类号： | C25C1/12;B22F1/054;C25B1/01;C25B3/25;C25B11/04;C25B3/09;C01G3/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎;张静 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： |
本发明提供原位合成铜纳米线阵列材料及其制备方法和应用，将氧化铜纳米线阵列置于分离的两室反应电解池中，在空气氛围下，以氧化铜纳米线阵列为工作电极，汞/氧化汞为参比电极，铂片为对电极，电解溶液为0.5M K |
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| 搜索关键词： | 原位 合成 纳米 阵列 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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