[发明专利]一种Inconel 625合金多层多道激光熔覆过程中晶体生长数值模拟方法有效
| 申请号： | 202010130660.7 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111370078B | 公开（公告）日： | 2023-03-14 |
| 发明（设计）人： | 张敏;郭宇飞;黄超;郭钊;张立胜;王刚 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | G16C60/00 | 分类号： | G16C60/00;G06F30/20;G06F111/10 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 张皎 |
| 地址： | 710048 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Inconel625合金多层多道激光熔覆过程晶体生长数值模拟方法，具体步骤如下：首先定义第一层第一道熔池形状并建立枝晶的形核与生长模型，然后建立溶质分配与扩散模型，再依次建立第一层第二道、第二层第一道、第二层第二道熔池的晶体生长模型，最后编写计算机程序，输入Inconel 625合金热物性参数以及各种激光熔覆工艺参数，导入模拟计算软件，进行计算即可得到模拟结果。本模型相比于实验研究更加的省时省力，节约资源，能够进行不同激光熔覆工艺参数下枝晶生长状况的模拟，为实际激光熔覆工艺的选择提供参考。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 inconel 625 合金 多层 多道 激光 过程 晶体生长 数值 模拟 方法 | ||
【主权项】：
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