[发明专利]一种原位常温制备垂直阵列结构二硫化锡的方法有效
| 申请号： | 202010129129.8 | 申请日： | 2020-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN111268722B | 公开（公告）日： | 2023-05-26 |
| 发明（设计）人： | 尹奎波;辛磊;郑安琪;熊雨薇;文一峰;朱明芸;李京仓;董麟;孙立涛 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C01G19/00 | 分类号： | C01G19/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 蓝霞 |
| 地址： | 210018 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料制造领域，特别涉及一种原位常温制备垂直阵列结构二硫化锡的方法。包括以下步骤：将普通层状二硫化锡经过超声分散至半碳膜上，并在透射电镜中用剐蹭锂金属的钨针尖去触碰二硫化锡并施加电压；会聚电子束对样品进行辐照得到垂直阵列结构的二硫化锡。该方法无需使用高温，无需其他有毒有害化学试剂，既简化了工艺又降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 原位 常温 制备 垂直 阵列 结构 硫化 方法 | ||
【主权项】：
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