[发明专利]用于压印微结构或者纳米结构的压印方法有效
申请号: | 202010122837.9 | 申请日: | 2016-11-18 |
公开(公告)号: | CN111497492B | 公开(公告)日: | 2022-03-08 |
发明(设计)人: | A.劳赫;F.西弗斯;G.基弗索尔;B.塞斯;C.富瑟;A.普雷奇;M.拉姆;M.海姆;W.霍夫米勒;H.扎什卡 | 申请(专利权)人: | 捷德货币技术有限责任公司 |
主分类号: | B42D25/324 | 分类号: | B42D25/324;B42D25/328;B42D25/355;B42D25/425;B44B5/02;B44C1/17;B44C1/24 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 任丽荣 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种用于将具有在微米或者纳米范围内尺寸的结构压印到由漆构成的漆层(6)中的方法,其中,该漆层(6)被设置在薄膜幅面(5)的一侧上并且能借助紫外辐射硬化。首先,将薄膜幅面(5)以其上存在还未被硬化的漆层的那侧沿输送方向通过加压辊子(2)压在压印筒(1)上,待压印的、微米或者纳米范围内的结构处于压印筒的表面上。在此,微米或者纳米范围内的结构在漆层中成形。接着,漆层(6)通过用于紫外辐射的源的紫外辐射硬化。按照本发明,薄膜幅面(5)从上方或者至少从斜上方导引至压印筒(1)。 | ||
搜索关键词: | 用于 压印 微结构 或者 纳米 结构 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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