[发明专利]一种基于阵列的磁传感器补偿方法在审

专利信息
申请号: 202010115552.2 申请日: 2020-02-25
公开(公告)号: CN111273202A 公开(公告)日: 2020-06-12
发明(设计)人: 冯敬伟;冷国俊;廖长江 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十九研究所
主分类号: G01R33/00 分类号: G01R33/00;G01R35/00;G06N3/08
代理公司: 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 代理人: 管高峰
地址: 610036 四川*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及磁传感器补偿技术领域,本发明公开了一种基于阵列的磁传感器补偿方法,包括步骤:(1)磁传感器阵列:利用磁传感器组成阵列,检测同一位置的磁场强度;(2)阵列数据预处理:对磁传感器阵列输出数据进行预处理;(3)建立补偿模型:通过训练学习的方式建立得到补偿模型;(4)磁传感器阵列补偿:建立补偿模型后,实时获取磁传感器阵列数据,进行与训练学习样本同样的预处理,得到磁传感器阵列预处理数据,并输入补偿模型,自动输出补偿后的结果。本发明利用磁传感器阵列信息,通过训练学习的方式建立补偿模型,既可以消除磁传感器的各种误差干扰,同时也可以提高磁场分辨率。
搜索关键词: 一种 基于 阵列 传感器 补偿 方法
【主权项】:
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