[发明专利]PEG插层双层五氧化二钒电极材料的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202010086951.0 | 申请日： | 2020-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN111244463A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 李延伟;季靖程;姚金环 | 申请（专利权）人： | 桂林理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/62 | 分类号： | H01M4/62;H01M4/48;H01M10/054 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 541004 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种PEG插层双层五氧化二钒电极材料的制备方法及其应用。以五氧化二钒粉体为钒源，以聚乙二醇PEG‑6000为插层分子，以双氧水为助溶剂，采用水热法结合真空冷冻干燥技术制备五氧化二钒前驱体，将前驱体置于马弗炉中，在空气气氛中，在200℃下烧结，即制得PEG插层双层五氧化二钒电极材料。该电极材料应用于制备钠离子电池。本发明操作简单和反应条件容易控制，在制备过程中，将适量的PEG引入到双层五氧化二钒的层间，能够显著提高双层五氧化二钒电极材料的储钠比容量、循环性能和倍率性能。 | ||
| 搜索关键词： | peg 双层 氧化 电极 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
暂无信息
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