[发明专利]近红外线荧光体、包含其的光电子装置、及制造光电子装置的方法有效

专利信息
申请号: 202010050657.4 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111471461B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 盖伯瑞尔尼科洛·德·古斯曼;韦拉马尼·拉金德伦;胡淑芬;张合;刘如熹;吕侊懋;林晏申;康桀侑;林治民 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: C09K11/80 分类号: C09K11/80;H01L33/50
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 张晓影
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种近红外线荧光体,其由以下通式(I)所表示:[通式(I)]La3(1‑z)Ga5(1‑w‑x)Ge1‑yO14:5wCr3+,ySn4+,3zAE2+,5xSc3+,其中AE选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba及Ra的一或多者,0w≤0.1,0y≤0.9,0z≤0.1,以及0≤x≤0.1。本发明亦提供一种包含该近红外线荧光体的光电子装置,以及制备光电子装置的方法。
搜索关键词: 红外线 荧光 包含 光电子 装置 制造 方法
【主权项】:
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