[发明专利]基于甲胺铅溴单晶的同质结光电二极管和三极管及其制备方法

摘要

本发明公开了基于甲胺铅溴单晶的同质结光电二极管和三极管及其制备方法，是通过掺杂BiBr3使MAPbBr3单晶成为n型半导体，而未掺杂的MAPbBr3单晶为弱p型半导体，由n型和p型MAPbBr3单晶构成同质结，进而构建p‑n同质结光电二极管和n‑p‑n同质结光电三极管。本发明的探测器制备过程简单、器件性能良好，为杂化钙钛矿单晶材料在光电探测器中的应用开拓了新的前景。