[发明专利]一种用于太赫兹微测辐射热计的吸收结构及其制备方法在审
| 申请号： | 202010035548.5 | 申请日： | 2020-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN111207842A | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 苟君;牛青辰;谢哲远;郑兴;王军 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G01J5/20 | 分类号： | G01J5/20;B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 汤春微 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于太赫兹微测辐射热计的吸收结构及其制备方法。所述吸收结构包括金属圆盘和至少一个围绕所述金属圆盘的同心开口金属环，所述吸收结构位于太赫兹微测辐射热计微桥结构的桥面顶层。所述吸收结构利用金属圆盘与至少一个同心开口金属环之间的吸收耦合作用，形成宽频太赫兹波吸收，使得具有所述吸收结构的微桥结构能实现太赫兹波段的探测与成像，具有宽频吸收、吸收率高、偏振不敏感等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 赫兹 辐射热 吸收 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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