[发明专利]一种大层间距二硫化锡纳米花钠离子电池负极材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010033500.0 申请日: 2020-01-13
公开(公告)号: CN111268720B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: 黄克靖;谢星辰;许婧;武旭 申请(专利权)人: 信阳师范学院
主分类号: C01G19/00 分类号: C01G19/00;H01M4/58;H01M10/054
代理公司: 郑州科维专利代理有限公司 41102 代理人: 赵继福
地址: 464000 河*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种大层间距二硫化锡纳米花钠离子电池负极材料的制备方法,所述的钠离子电池负极材料的制备是通过一步溶剂热的合成方法,制备出大层间距的花状SnS2纳米材料,使其(001)晶面的层间距从0.59 nm增大到~1.0 nm,为钠离子嵌入/脱出提供了宽的2d通道和缓冲空间,减小了材料的体积变化,缩短了离子的扩散距离,促进了电子的快速转移。本发明的原料易得、制备简单、反应条件温和,获得的纳米材料尺寸均一、分布均匀、结晶性良好,用作钠离子电池负极材料具有优良的循环性能、较高的可逆容量和较好的倍率性能。
搜索关键词: 一种 间距 硫化 纳米 钠离子 电池 负极 材料 制备 方法
【主权项】:
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