[发明专利]一种应用于超细碳化钨制备的抑制剂及其制备方法有效
| 申请号： | 202010001403.3 | 申请日： | 2020-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN111020337B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 许开华;蒋振康;彭光辉;向湘衡;陈晓华;杜柯 | 申请（专利权）人： | 荆门美德立数控材料有限公司 |
| 主分类号： | C22C29/08 | 分类号： | C22C29/08;C22C1/05;C22C1/10;C01B32/949 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 赵泽夏 |
| 地址： | 448000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种应用于超细碳化钨制备的抑制剂及其制备方法，该应用于超细碳化钨制备的抑制剂为含Ta和V的钴基复合粉末，所述含Ta和V的钴基复合粉末中Ta、V、Co三者的质量比为为2:1：(20～40)。本发明通过液相沉淀法以及碳化得到TaC‑VC的掺杂复合粉体，并通过液相还原法制备纳米钴粉，然后将TaC‑VC所组成的复合相均匀分布于Co基粘接相中，以TaC‑VC‑Co复合体系作为抑制剂，与WC粉末混合煅烧后显著抑制WC晶粒长大，并提高了硬质合金的耐高温和耐腐蚀能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 碳化 制备 抑制剂 及其 方法 | ||
【主权项】：
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