[发明专利]具有支石墓结构的半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201980094137.9 申请日: 2019-04-25
公开(公告)号: CN113574663A 公开(公告)日: 2021-10-29
发明(设计)人: 桥本慎太郎;谷口纮平;矢羽田达也;尾崎義信 申请(专利权)人: 昭和电工材料株式会社
主分类号: H01L25/065 分类号: H01L25/065;H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种半导体装置,其为具有支石墓结构的半导体装置,包括:基板;第一芯片,配置于基板上;多个支撑片,配置于基板上且第一芯片的周围;以及带黏合剂片的芯片,由多个支撑片支撑且配置成覆盖第一芯片,带黏合剂片的芯片包含第二芯片及设置在第二芯片的一个面上的黏合剂片,支撑片与带黏合剂片的芯片在250℃下的剪切强度为3.2MPa以上。
搜索关键词: 具有 支石墓 结构 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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