[发明专利]具有用于中空阴极放电抑制的流孔的喷头面板在审

专利信息
申请号: 201980081929.2 申请日: 2019-10-01
公开(公告)号: CN113196443A 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 迈克尔·约翰·塞勒普;帕特里克·G·布莱琳;卡尔·弗雷德里克·利瑟;蒂莫西·斯科特·托马斯;大卫·威廉·坎普;肖恩·M·唐纳利 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 上海胜康律师事务所 31263 代理人: 李献忠;张华
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 喷头的面板具有在衬底处理系统的操作期间面对等离子体生成区域的下侧以及面对充气腔的上侧,处理气体被供给至充气腔中。面板包含穿过下侧形成的孔口以及穿过上侧形成的开口。形成的每一孔口延伸穿过面板的总厚度的一部分以与开口中的至少一者相交而形成穿过面板的用于处理气体的对应的流动路径。每一孔口具有横截面,横截面在至少一方向上具有中空阴极放电抑制尺寸。每一开口具有横截面,横截面的最小横截面尺寸大于中空阴极放电抑制尺寸。
搜索关键词: 具有 用于 中空 阴极 放电 抑制 喷头 面板
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980081929.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 射频线圈及电感耦合等离子体设备-202310930951.8
  • 赵成伟;邬文波 - 西实显示高新材料(沈阳)有限公司
  • 2023-07-27 - 2023-10-27 - H01J37/32
  • 本发明涉及一种射频线圈及电感耦合等离子体设备。射频线圈包括线圈主体;线圈主体包括至少两个移动段与至少一个伸缩段,任意相邻的两个移动段通过伸缩段连接,移动段与伸缩段交替设置,以使线圈主体呈线型;伸缩段能够伸缩而长度改变,至少两个移动段的相对位置能够改变,以使线圈主体的形状改变。电感耦合等离子体设备包括气源组件、腔体与上述射频线圈。上述线圈主体通入电流后产生高频电磁场。在针对不同的待镀膜产品或不同批次的待镀膜产品对镀膜的不同要求,可以将相应的移动段进行位置调节,伸缩段可根据相邻两个移动段之间的位置改变以进行伸缩,从而改变线圈主体形成的电磁场,以得到分布状态符合要求的等离子体。
  • 操作方法以及处理方法-202310698506.3
  • 庄岱融;萧乔远;陈永传;钟玮刚;林侑立;谢瑞夫;廖志腾 - 台湾积体电路制造股份有限公司
  • 2023-06-13 - 2023-10-27 - H01J37/32
  • 本公开的实施例关于一种操作方法,借由改造一等离子体处理系统的一或多个部件,操作等离子体处理系统。操作方法包括从等离子体处理系统的一气体供应机构移除一保持器。保持器包括一气体注射器,配置以将从一气体源接收的气体提供到等离子体处理系统的一等离子体腔室。操作方法更包括减少保持器的一引导销的一尺寸,将保持器安装到气体供应机构中,保持器包括尺寸减少的引导销,以及旋转气体注射器以改变通过气体注射器的一气流。
  • 一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法-202311219550.8
  • 母凤文;高文琳;郭超 - 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司;青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
  • 2023-09-21 - 2023-10-27 - H01J37/32
  • 本发明提供了一种等离子体刻蚀装置及一种刻蚀碳膜的方法,所述等离子刻蚀装置在刻蚀仓内部设置有加热盘、射频线圈以及位于两者之间的且具有贯穿上下表面的孔的多孔挡板;所述装置通过使等离子体穿过多孔挡板再轰击到待刻蚀物上,来调整并优化等离子的刻蚀强度和作用,平衡刻蚀中心与刻蚀边缘的刻蚀效果,使刻蚀更加平稳而均匀,进而可以精准控制刻蚀过程,在有效去除刻蚀目标的同时,防止过度刻蚀,有效保护衬底。进一步地,本发明通过配有翻转机构和/或伸缩机构来控制多孔挡板,实现其对等离子体阻挡作用的打开或关闭,进而可以选择性地使用多孔挡板或不使用多孔挡板来进行刻蚀,以形成更加灵活且具有针对性的刻蚀工艺过程。
  • 一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置-202311222963.1
  • 杨振;贺小明;李雪冬;郑天成;胡杰;邹博;王聪;许开东 - 江苏鲁汶仪器股份有限公司
  • 2023-09-21 - 2023-10-27 - H01J37/32
  • 本申请提供了一种静电吸盘以及等离子体刻蚀装置,该静电吸盘包括:基座、加热层、吸附层,以及由第一胶接层和第二胶接层组成的胶接层,加热层位于第一胶接层和第二胶接层之间,还包括环绕覆盖胶接层裸露侧面的陶瓷密封环。在胶接层指向陶瓷密封环的方向上,陶瓷密封环的长度变大。由上述可知,上述静电吸盘采用陶瓷密封环,并且该陶瓷密封环与吸附层和/或基座的接触面积较小,从而能够减小陶瓷密封环的导热能力,使得陶瓷密封环能够对静电吸盘的边缘起到保温作用,降低静电吸盘边缘的温度梯度,以为利用陶瓷密封环对胶接层进行密封提供了一种可行方案,进而在提高静电吸盘使用寿命的同时,保证静电吸盘的温控能力。
  • 等离子体处理的数字控制-202280012296.1
  • 弗拉基米尔·纳戈尔尼 - 应用材料公司
  • 2022-01-21 - 2023-10-27 - H01J37/32
  • 一种系统包括设置在处理腔室内的控制板。所述控制板包括一组等离子体元件,所述等离子体元件被设计为独立地将设置在所述处理腔室内的基板暴露于等离子体相关的通量。所述控制板被设计为独立地启动所述一组等离子体元件。在被启动时,这些相关联的等离子体元件将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量,而在不启动时,这些相关联的等离子体元件防止将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量。所述控制板被设计为执行所述一组等离子体元件的个别的依赖于时间的启动,以选择性地将所述基板暴露于这些等离子体相关的通量。
  • 一种改善去胶均一性的装置-202321159668.1
  • 杨吉克 - 上海稷迪半导体设备有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-10-27 - H01J37/32
  • 本实用新型公开了一种改善去胶均一性的装置,包括等离子去胶设备工艺腔体和等离子体发生装置,所述等离子去胶设备工艺腔体和等离子体发生装置之间设有石英桶底座,所述石英桶底座呈“喇叭口”形状。本实用新型与现有技术相比的优点是:本实用新型的石英桶底座由原来的阶梯状分布,改变成喇叭状结构,能够有效地减少等离子体复合和聚集,优化等离子体分布,从而优化去胶速率均一性。
  • 阻抗匹配方法、装置和介质-202310929943.1
  • 朱培文;尹巧星 - 江苏神州半导体科技有限公司
  • 2023-07-26 - 2023-10-24 - H01J37/32
  • 本发明提供一种阻抗匹配方法、装置和介质,该方法包括:前端数字化射频检测单元通过脉冲包络信号采样,检测射频电源的实时电压值、实时电流值及电压与电流的相位差;逻辑控制单元实时计算第一反射系数;当第一反射系数超出阈值时,调整电容极板的初始位置;当第一反射系数未超出阈值时或重复执行上述步骤预设次数时,逻辑控制单元计算当前射频电源的电信号参数,并根据反射校准参数获取电信号参数的误差值;逻辑控制单元根据误差值计算马达的转速,计算第二反射系数;逻辑控制单元确认第二反射系数小于阈值时,阻抗匹配完成。该方法用于在采样的信号为脉冲包络信号时快速进行射频电源与等离子体反应腔的阻抗匹配。
  • 可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置-202210618227.7
  • 赵宰孝;李妍周;李俊旼;韩智银 - 未来宝株式会社
  • 2022-06-01 - 2023-10-24 - H01J37/32
  • 本发明涉及一种可用捕获区域得到扩展的反应副产物捕获装置,将内部捕获塔由分成在将气体的主气流诱导到中央部并使其下降的同时执行捕获反应的上段捕获部、为了对所流入的气体进行收容并对反应副产物进行捕获而利用倒梯形空间部形成内侧区域的中段捕获部、在从通过侧面流入的气体中对反应副产物进行多段捕获的同时防止已捕获的反应副产物流出到外壳的气体排出口的下段捕获部以及通过对在所述中段捕获部的内侧以及外侧区域捕获到的多孔性粉末形态的反应副产物进行收集而防止其流出到外部的捕获罩,从而在不同的高度上对反应副产物进行多段捕获,借此,在使用周期的前半段以及后半段将气流诱导到内侧区域以及外侧区域,从而高效率地执行捕获反应。
  • 一种常压微波等离子体双波导耦合装置-202311189309.5
  • 邓泉荣;陈子乙;童维军;黄巍;程川盟;谢欢;王奕博;朱青美;文志远 - 武汉市飞瓴光电科技有限公司
  • 2023-09-15 - 2023-10-24 - H01J37/32
  • 本发明提供一种常压微波等离子体双波导耦合装置,包括上下两路平行的波导耦合子模块和冷却水循环系统,每一路波导耦合子模块包括电源、磁控管、环形器、波导、微波谐振腔、放电石英管和反射板。本发明主要针对单路波导传输功率有限,等离子体电离能力较弱,无法形成高能量和高密度等离子体的问题,采用两路微波谐振腔进行耦合,输出功率可以达到原来的两倍,同时上谐振腔采用与压缩波导连接的形式,大大提高了上部分电磁场的能量密度,使得等离子体电离能力明显增强,显著提高了等离子体活性粒子含量,所述装置可在常压条件下一步法直接制备光纤预制棒。
  • 一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备-201911283373.3
  • 涂乐义;叶如彬 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2019-12-13 - 2023-10-24 - H01J37/32
  • 本发明提供一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备,其中晶圆固定装置可以包括承载晶圆的静电吸盘,以及承载静电吸盘的基座,以及承载基座和静电吸盘的设备板,基座和设备板均为金属材质,设备板和基座可以直接接触,设备板和基座之间也可以填充有柔性导电层,柔性导电层可以提高基座和设备板之间的电接触,增大设备板和基座之间的电容,这样设备板和基座之间可以较大且更稳定的电容,利于设备板和基座之间的射频信号的通过,相应减少其他路径中的射频信号的通过,减少射频信号的功率损失。
  • 刻蚀机的气体分布板的拆装装置和刻蚀机-202011206010.2
  • 陈克维;孟理;王建忠 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-11-02 - 2023-10-24 - H01J37/32
  • 本发明提供一种刻蚀机的气体分布板的拆装装置和刻蚀机,涉及半导体制造技术领域,解决刻蚀机的气体分布板的拆装难度大,且易污染气体分布板的问题,该刻蚀机的气体分布板的拆装装置包括握持件、连接件和固定件,固定件可拆卸的连接在刻蚀机的气体分布板上,握持件和固定件通过连接件连接;握持件上设置有供用户手部握持的握持部。本发明能够有效减小气体分布板的拆装难度,提高刻蚀机的维修效率,同时减少拆装过程气体分布板的污染,优化刻蚀机的维修效果,保证刻蚀机的刻蚀效果,延长刻蚀机的使用寿命。
  • 一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备-202321023519.2
  • 赵函一 - 上海微芸半导体科技有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-10-24 - H01J37/32
  • 本申请提供一种晶圆顶起装置和等离子刻蚀设备,晶圆顶起装置包括:顶起结构;波纹管,波纹管的上端与顶起结构连接,波纹管内设置有中间轴;驱动装置,驱动装置用于驱动中间轴上下运动,驱动装置具有输出部,输出部和中间轴通过连接机构连接;其中,连接机构包括设置在输出部上端的第一连接结构和设置在中间轴下端的第二连接结构,第一连接结构包括上抵接部、下抵接和用于连接上抵接部和下抵接部一侧边缘的连接部,上抵接部具有开口,第二连接结构包括球体和连接在球体和中间轴之间的连接杆;当输出部和中间轴连接时,球体位于上抵接部和下抵接部之间,连接杆穿过开口。本申请提供的晶圆顶起装置具有较高的装配容错率。
  • 一种用于调节耦合线圈形状、高度、角度的线圈调节装置-202320915201.9
  • 王俊;刘曌宇;张二辉 - 上海微芸半导体科技有限公司
  • 2023-04-21 - 2023-10-24 - H01J37/32
  • 本实用新型还公开了一种用于调节耦合线圈形状、高度、角度的线圈调节装置,用于微调线圈形状,和整体调节线圈高度和角度的线圈调节装置;所述线圈调节装置包括调节耦合线圈形状的可控调节装置和调节耦合线圈高度和角度的空间调节装置。所述耦合线圈与可控调节装置连接,通过连接点的调节,能够可在一定范围内改变线圈形状;所述空间调节装置与腔体的固定点可通过伸缩结构调节以改变耦合线圈的高度和角度。本实用新型通过调整线圈的分布能改善等离子体生成的均匀性。同时线圈的分布能够在过程中随时调整,又可以避免长时间工作产生的不均匀情况。
  • 一种改善工艺稳定的离子筛网装置-202321159326.X
  • 杨吉克 - 上海稷迪半导体设备有限公司
  • 2023-05-15 - 2023-10-24 - H01J37/32
  • 本实用新型公开了一种改善工艺稳定的离子筛网装置,包括离子筛网,所述离子筛网外部设有一加热块,所述加热块连接温度控制器,温度控制器连接有温度传感器,温度传感器设置在加热块上。本实用新型与现有技术相比的优点是:可有效的控制离子筛网表面的温度,避免了离子筛网表面温度波动对工艺稳定性的影响,提高了生产工艺的稳定性,提升了生产效率。
  • 用于基板处理平台的RF阻抗匹配网络-202280019045.6
  • 郭岳;K·K·库坦奈尔;J·于;K·拉马斯瓦米;杨扬 - 应用材料公司
  • 2022-05-02 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本文提供用于处理基板的使用匹配网络的方法和装置。例如,一种被配置为与等离子体处理腔室一起使用的匹配网络,包括:本地控制器,所述本地控制器可连接至等离子体处理腔室的系统控制器;第一电动电容器,所述第一电动电容器连接至本地控制器;第二电动电容器,所述第二电动电容器连接至第一电动电容器;第一传感器和第二传感器,所述第一传感器在匹配网络的输入处,所述第二传感器在匹配网络的输出处,用于分别获得线内RF电压、电流、相位、谐波和阻抗数据;以及以太网控制自动化技术(EtherCAT)通信接口,所述EtherCAT通信接口将本地控制器连接至第一电动电容器、第二电动电容器、第一传感器以及第二传感器。
  • 蚀刻装置-202310385822.5
  • 内田敏治;菅原洋纪 - 佳能特机株式会社
  • 2023-04-12 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本发明提供一种使用更简单的装置进行蚀刻的蚀刻装置。使用一种蚀刻装置,具备:照射装置,所述照射装置包括向基板照射蚀刻用的离子束的离子源;以及输送装置,所述输送装置输送基板,使基板多次通过离子束的照射区域,离子束的照射方向相对于位于照射区域的基板的表面的法线倾斜,多次的照射区域的基板的通过至少包括第1通过和第2通过,第1通过中的离子束相对于基板的照射方向和第2通过中的离子束相对于基板的照射方向相互不同。
  • 处理数据的分析方法和信息处理装置-202310344875.2
  • 石井隆太郎 - 东京毅力科创株式会社
  • 2023-04-03 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本发明提供一种处理数据的分析方法和信息处理装置,能够缩短分析处理数据所需的时间,并能够稳定地分析处理数据的适当部位。处理数据的分析方法用于对在基板处理装置运行时获取到的处理数据进行分析。处理数据的分析方法包括以下工序:获取处理数据;将处理数据在时间序列中分割为多个区间;以及基于分割出的多个区间中的特定的区间内的处理数据,来诊断基板处理装置的健康状态。在分割为多个区间的工序中,根据从多个传感器的参数中选择出的一个或两个以上的参数成为预先决定的规定值的时间点或者相对于规定值发生变化的时间点,来决定多个区间的开始时间点和结束时间点。
  • 一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法-202210052425.1
  • 龚新;鲍锡飞 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-01-18 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本公开实施例公开了一种等离子体处理装置及其处理晶片的方法,所述等离子体处理装置包括:反应腔;静电吸盘,位于所述反应腔的底部,用于承载晶片;电压供给模块,连接所述静电吸盘,所述电压供给模块用于给所述静电吸盘提供电压;其中,所述电压供给模块的升压过程和/或降压过程是线性缓变的,所述线性缓变的时长范围在1秒至5秒之间。在升压过程和/或降压过程中,为所述静电吸盘提供时长范围在1秒至5秒之间的线性缓变电压,能够有效减少或消除因电压急剧变化所引发的电弧放电,极大地降低了所述等离子体处理装置或所述晶片被电弧放电损伤的可能性。
  • 一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环-201910968745.X
  • 段蛟;陈星建;倪图强 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2019-10-12 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本申请提供一种等离子体刻蚀装置及其中的边缘环,边缘环位于静电吸盘的外围,静电吸盘用于固定其上的待处理晶圆,边缘环可以包括聚焦环,聚焦环具有内侧部分和外侧部分,内侧部分位于待处理晶圆边缘的下方,外侧部分向外超出待处理晶圆的覆盖范围,外侧部分高于内侧部分,至少在聚焦环的外侧部分形成有保护涂层,保护涂层的介电常数从表面至底部逐渐增大,这样,可以使得等离子体鞘层在晶圆的整个表面保持均匀。同时即使边缘环上的保护涂层被等离子体刻蚀而发生磨损,保护涂层内部的较高介电常数的表面暴露出来,从而使保护涂层具有更好的电荷负载能力,维持等离子体鞘层的稳定,从而维持刻蚀速率的稳定性。
  • 一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置-201911415943.X
  • 徐朝阳;廉晓芳;江家玮;范光伟;涂乐义 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2019-12-31 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本发明提供一种等离子体约束结构及其制造方法、等离子体处理装置,其中等离子体约束结构可以包括接地环和在接地环上设置的约束环,接地环和与约束环之间形成有绝缘层,接地环中形成有多个第一通道,约束环中形成有多个第二通道,第一通道和第二通道连通,第一通道和第二通道不在同一条直线上,在约束环上形成有等离子体时,等离子体可以通过第二通道进入约束环,通过约束环可以对其上的等离子体进行约束,由于第一通道和第二通道不在同一条直线上,第一通道和第二通道作为等离子体通道时,其通道的长度有所增大,等离子体与第一通道和第二通道的侧壁接触的可能性也较高,因此提高了对等离子体的约束能力。
  • 具有整体式热阻流部的高温射频连接-201880057283.X
  • 蒂莫西·S·托马斯;文斯·布哈特;乔尔·霍林斯沃思;大卫·弗伦奇;达明·斯莱文 - 朗姆研究公司
  • 2018-08-31 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 将射频源与等离子体处理系统的衬底支撑件连接的热阻流杆包含具有第一接头与第二接头的管状构件,第一接头用于连接至与衬底支撑件耦合的RF杆,第二接头用于连接至与RF源耦合的RF带。管状区段在第一与第二接头之间延伸。第一接头具有锥形末端区域以及切口,该锥形末端区域在朝向管状区段的方向上从第一接头的内表面倾斜至外表面,所述切口从第一接头的终端延伸指定距离。管状区段的外表面具有螺纹区域,该螺纹区域用于与环状盖部进行螺纹啮合,该环状盖部安装在第一接头之上并且在与第一接头的锥形末端区域接触时减小第一接头的内径。
  • 晶圆处理设备-202310678149.4
  • 崔强 - 江苏天芯微半导体设备有限公司
  • 2023-06-09 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本发明涉及一种晶圆处理设备,包括:腔体,用于通过通入工艺气体对晶圆表面进行工艺处理;基座,设置在腔体内,用于支撑晶圆;衬套,设置在腔体的侧壁的内表面且围绕基座设置,用于将工艺气体均匀地分布在晶圆表面,且工艺处理后的工艺气体被排出腔体;监控装置,与设置在腔体侧壁的抽气口连通,用于通过所述抽气口获取腔体内的工艺气体并对气体成分进行分析。本发明可以在工艺过程中对腔体内的气体进行原位监控,对工艺稳定性影响小;并且稳定了工艺气流使气体均匀的分布在晶圆表面,保证了工艺的稳定性。
  • 等离子体处理设备和方法-201880084092.2
  • 马绍铭;仲華;杨晓晅;D·V·德塞;瑞安·M·帕库尔斯基 - 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司
  • 2018-12-13 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 提供了等离子体处理设备和方法。在一个示例实施方式中,等离子体处理设备包括处理室。等离子体处理设备包括设置于处理室中的基座。基座用于支撑工件。等离子体处理设备包括在竖直方向上设置于处理室上方的等离子体室。等离子体室包括介电侧壁。等离子体处理设备包括将处理室与等离子体室分开的分离格栅。等离子体处理设备包括邻近介电侧壁的第一等离子体源。第一等离子体源用于在分离格栅上方的等离子体室中产生远程等离子体。等离子体处理设备包括第二等离子体源。第二等离子体源用于在分离格栅下方的处理室中产生直接等离子体。
  • 一种等离子体处理装置-201911200020.2
  • 涂乐义;叶如彬 - 中微半导体设备(上海)股份有限公司
  • 2019-11-29 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本发明公开了一种等离子体处理装置,在聚焦环与基座之间相对面积、相对距离及本身材质固定的情况下,通过在聚焦环与基座之间设置导电材料插入环,来提高聚焦环与基座之间的电容而达到提高聚焦环上电压的目的;通过第一电容调节层实现聚焦环与导电材料插入环之间电容调节,或通过第一电容调节层实现导电材料插入环与基座之间电容调节,最终来调节聚焦环与基座之间电容而达到调节聚焦环上电压的目的。进而,通过提高聚集环上电压,同时通过优化第一电容调节层对电容的调节幅度实现对聚焦环上电压调节的能力,调控半导体基片与聚焦环之间的电场分布达到提高电场分布均一性的效果,保证半导体基片的边缘刻蚀准直性较高。
  • 具有远程等离子体源的半导体加工设备-202320683227.5
  • 忻圣波;单翌;闫晓晖 - 上海积塔半导体有限公司
  • 2023-03-30 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本实用新型提供一种具有远程等离子体源的半导体加工设备。所述设备包括:反应腔室;远程等离子体源,通过第一通道连通所述反应腔室;第一可控阀门,设置于所述第一通道上,用于在制备膜层制程时受控关闭以控制所述第一通道关闭,以及在对所述反应腔室进行清洗时受控开启以控制所述第一通道开启。本实用新型可以降低由于远程等离子体源自身产生的颗粒所引起的晶圆缺陷的风险,减少由此导致的宕机,降低更换远程等离子体源频率,节省备件成本。
  • 一种半导体设备用分气环-202321129952.4
  • 李伟阳;王琳琳;苏宇 - 盛吉盛(宁波)半导体科技有限公司
  • 2023-05-11 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本实用新型涉及一种半导体设备用分气环,属于半导体设备技术领域,其包括有两个环体,每一个环体中均设有一条气路,气路包括有相连通的弧形分气部和环形分气部;环形分气部沿环体的环形设置,环形分气部在朝内侧设置有若干喷嘴;弧形分气部设置于环形分气部外侧,弧形分气部的两端与环形分气部的两侧位置相连接;环体在弧形分气部的中间位置处开设有连通的进气孔,进气孔外连接有输气管。本方案经过仿真软件的测试分析得出,其可实现各喷嘴处气体均匀度基本一致,相比现有两个进气孔的方案均匀度大幅提升,能够更好地满足工艺要求;并且结构简单,加工成本较低。
  • 一种等离子体处理设备-202321032284.3
  • 刘自强;丁科允 - 江苏天芯微半导体设备有限公司
  • 2023-04-28 - 2023-10-20 - H01J37/32
  • 本实用新型提供一种等离子体处理设备,包括:处理腔,所述处理腔用于对晶圆表面的氧化物进行去除工艺处理;等离子体发生装置,所述等离子体发生装置的一端与处理腔连接,用于将通入处理腔的工艺气体转变为等离子体状态;气体混合腔,所述气体混合腔的输出端与所述等离子体发生装置的另一端连接,用于在工艺气体通入处理腔之前,对工艺气体进行混合;其中,气体混合腔的输入端连接一含氟气体输入管路和一含氮氢气体输入管路。本实用新型提供的等离子体处理设备设置了气体混合腔,能够将工艺气体混合得更加均匀,给晶圆表面氧化层的清洁工艺带来更好的工艺效果。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top