[发明专利]选择性氧化铝膜沉积在审
| 申请号： | 201980057963.6 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN112640047A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 吴立其;阮鸿;巴斯卡尔·乔蒂·布雅;马克·沙丽;刘风全;戴维·汤普森 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 兹描述沉积膜的方法。具体而言，兹描述沉积金属氧化物膜的方法。通过将基板暴露于有机金属性前驱物，接着暴露于氧化剂，而相对于介电质层选择性地将金属氧化物膜沉积于金属层上。 | ||
| 搜索关键词： | 选择性 氧化铝 沉积 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
