[发明专利]等离子处理装置在审
| 申请号： | 201980048827.0 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN114788418A | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 岩濑拓;小藤直行;园田靖;中谷侑亮;田中基裕 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立高新技术 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 张远 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的目的在于提供等离子处理装置，能够在同一腔室内进行减少了离子向样品的流出的各向同性蚀刻和将离子向样品入射的各向异性蚀刻中的任一者。因此，本发明具备：处理室，对样品进行等离子处理；高频电源，经由配置在所述处理室的上方的电介质的第一构件供给用于生成等离子的高频电力；磁场形成机构，在所述处理室内形成磁场；样品台，载置所述样品；以及第二构件，配置在所述第一构件与所述样品台之间且形成有贯通孔，所述贯通孔形成在距所述第二构件的中心为给定的距离以上的位置，从所述第一构件至所述第二构件的距离是使得在所述第一构件与所述第二构件之间生成的等离子的密度为截止密度以上的距离。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立高新技术，未经株式会社日立高新技术许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201980048827.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
