[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置在审
| 申请号： | 201980034028.8 | 申请日： | 2019-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN112189252A | 公开（公告）日： | 2021-01-05 |
| 发明（设计）人： | 尾辻正幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 陈甜甜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明中，将凝固点低于吸附物质的凝固点的干燥前处理液供给至衬底(W)的表面，使吸附物质吸附于图案(P1)的表面。冷却衬底(W)上的干燥前处理液，由此使衬底(W)上的干燥前处理液的一部分凝固而沿着图案(P1)的表面形成含有吸附物质的凝固膜(101)。一面使凝固膜(101)残留于衬底(W)的表面，一面将未用于形成凝固膜(101)的剩余的干燥前处理液自衬底(W)的表面去除。当将剩余的干燥前处理液去除后，或与将剩余的干燥前处理液去除同时地，通过使凝固膜(101)变成气体而将凝固膜(101)自衬底(W)的表面去除。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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- 吉田幸史 - 株式会社斯库林集团
- 2018-06-15 - 2023-10-03 - H01L21/304
- 基板处理装置(1)具备有：第1清洗液供给部(3)，其将碱性或酸性的第1清洗液供给至基板(9)的主表面(91)；及第2清洗液供给部(4)，其将含有增粘剂并且具有较第1清洗液高的粘度的第2清洗液供给至主表面(91)。在第1清洗液及第2清洗液中的一清洗液存在于主表面(91)的状态下，另一清洗液被供给至主表面(91)。由此，可更确实地去除基板(9)的主表面(91)上不需要的物质。
- 表面处理组合物及晶圆的制造方法-202280015092.3
- 照井贵阳;奥村雄三;公文创一 - 中央硝子株式会社
- 2022-02-21 - 2023-09-29 - H01L21/304
- 本发明的表面处理组合物是以蒸气形式被供给至表面具有凹凸图案的晶圆的表面的、用于在表面形成拒水性保护膜的、包含甲硅烷基化剂及溶剂的表面处理组合物，其中，甲硅烷基化剂包含三烷基甲硅烷基胺，溶剂包含选自由二醇醚乙酸酯及二醇乙酸酯组成的组中的至少1种或2种以上，溶剂的总量100质量％中，二醇醚乙酸酯及二醇乙酸酯的总计含量为50质量％以上。
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
