[发明专利]具有可变强度二极管的空间光调制器在审
申请号: | 201980018636.X | 申请日: | 2019-02-05 |
公开(公告)号: | CN111886543A | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
发明(设计)人: | 约瑟夫·R·约翰逊;克里斯多弗·丹尼斯·本彻 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | G03F1/76 | 分类号: | G03F1/76;G03F7/20;H01L21/027 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开内容的实施方式一般涉及一种图像投影系统。该图像投影系统包括有源矩阵固态发射器(SSE)装置。该有源矩阵固态发射器包括基板、硅层和发射器基板。该硅层经沉积在具有多个晶体管形成于其中的该基板之上。该发射器基板经定位在该硅层与该基板之间。该发射器基板包含多个发射器阵列。每个发射器阵列限定像素,其中一个像素包含来自该多个晶体管的一个或多个晶体管。每个晶体管经配置以接收可变量的电流。 | ||
搜索关键词: | 具有 可变 强度 二极管 空间 调制器 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980018636.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:酯化和酯交换反应的方法
- 下一篇:超声探针的通用隔行扫描
- 同类专利
- 用于设置相对激光强度的设备和方法-202180070282.0
- F·伊伦 - 迈康尼股份公司
- 2021-10-18 - 2023-06-30 - G03F1/76
- 为表示光刻曝光的多个像素设置相应相对激光强度的一种设备、计算机程序、计算机可读介质和方法。该多个像素包括:至少一个边缘像素,位于待曝光的像素区域的边缘处;以及至少一个相邻像素,排列为在朝向该待曝光的像素区域的与边缘垂直的方向上与该至少一个边缘像素相距一个像素。该方法包括将多个像素的每个像素的相对激光强度从先前设置的相应第一相对激光强度成比例地降低到相应第二相对激光强度。将像素的相对激光强度的激光剂量转换从先前设置的第一激光剂量转换成比例地调整到第二激光剂量转换,使得每个像素的相应有效曝光激光剂量通过该相应第二相对激光强度的第二激光剂量转换来实现,该每个像素的相应有效曝光激光剂量等于由该相应第一相对激光强度的第一激光剂量转换产生的每个像素的相应有效曝光激光剂量。将该至少一个边缘像素的边缘像素或该至少一个相邻像素的相邻像素的相应相对激光强度从相应第二相对激光强度增加到相应第三相对激光强度。
- 具有可变强度二极管的空间光调制器-201980018636.X
- 约瑟夫·R·约翰逊;克里斯多弗·丹尼斯·本彻 - 应用材料公司
- 2019-02-05 - 2020-11-03 - G03F1/76
- 本公开内容的实施方式一般涉及一种图像投影系统。该图像投影系统包括有源矩阵固态发射器(SSE)装置。该有源矩阵固态发射器包括基板、硅层和发射器基板。该硅层经沉积在具有多个晶体管形成于其中的该基板之上。该发射器基板经定位在该硅层与该基板之间。该发射器基板包含多个发射器阵列。每个发射器阵列限定像素,其中一个像素包含来自该多个晶体管的一个或多个晶体管。每个晶体管经配置以接收可变量的电流。
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备