[发明专利]半导体模块在审

专利信息
申请号: 201980010225.6 申请日: 2019-06-24
公开(公告)号: CN111656522A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 塩原真由美 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H01R12/58;H02M1/00;H02M7/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 张欣;金玉兰
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 能够小型化且能够增大通电能力。半导体模块具备输入输出端子,所述输入输出端子与半导体元件的主电极电连接,从树脂壳体起与树脂壳体的正面垂直地延伸,其压入部(160)呈平板状,在压入部(160)的通电部(162)的至少一个平板面具备具有弹性的弹性部(163a、163b)。这样,由于输入输出端子具备呈平板状且在平板面具有弹性的弹性部(163a、163b),所以与例如在侧面方向具有弹性的控制端子相比,能够实现大电流的通电。另外,由于输入输出端子通过压入而容易且可靠地与印刷基板(100)连接,所以无需用于连接的空间。
搜索关键词: 半导体 模块
【主权项】:
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  • 具有两个相反半桥的功率半导体模块-202310181415.2
  • 柳伟 - 采埃孚股份公司
  • 2023-02-28 - 2023-09-26 - H01L25/07
  • 本发明涉及具有两个相反半桥的功率半导体模块,包括:多层电路板;第一半导体芯片和第二半导体芯片;第三半导体芯片和第四半导体芯片;第一衬底;和第二衬底。第一外传导层将结构设定成第一DC+区域、第一AC区域及第一DC‑区域,第一DC+区域、第一AC区域及第一DC‑区域将第一半导体芯片和第二半导体芯片互连成半桥。第二外传导层将结构设定成第二DC+区域、第二AC区域及第二DC‑区域,第二DC+区域、第二AC区域及第二DC‑区域将第三半导体芯片和第四半导体芯片互连成半桥。第一DC‑区域经由第一衬底和贯穿传导柱与中间传导层的中间DC‑区域连接,且第二DC‑区域经由第二衬底和贯穿传导柱与中间DC‑区域连接。贯穿传导柱在第一衬底和第二衬底之间穿过多层电路延伸。
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