[发明专利]半导体芯片的制造方法在审

专利信息
申请号: 201980010027.X 申请日: 2019-03-26
公开(公告)号: CN111656491A 公开(公告)日: 2020-09-11
发明(设计)人: 田久真也;山田忠知 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;H01L21/3065
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 张晶;谢顺星
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供一种带第一保护膜的半导体芯片的制造方法,该制造方法包含:将热固性树脂膜贴附在具有凸块的半导体晶圆的该凸块侧的第一面上;通过使该热固性树脂膜进行热固化,在该半导体晶圆的该第一面上形成第一保护膜;从形成有所述第一保护膜的第一面的一侧对该半导体晶圆进行半切切割;及通过对该半导体晶圆的经过半切切割的该第一面的一侧进行等离子体照射,去除该凸块的头顶部的该第一保护膜的残渣,并同时将该半导体晶圆单颗化。
搜索关键词: 半导体 芯片 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于琳得科株式会社,未经琳得科株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201980010027.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。

同类专利
  • 半导体加工用粘着胶带及半导体装置的制造方法-202280017571.9
  • 饭塚亮;前田淳;田村和幸 - 琳得科株式会社
  • 2022-01-19 - 2023-10-24 - H01L21/301
  • 本发明的技术问题在于提供一种在剥离粘着胶带时可以抑制芯片的裂纹的半导体加工用粘着胶带。其解决手段为一种半导体加工用粘着胶带,其为具有基材与粘着剂层的粘着胶带,其中,在将所述粘着胶带的一面暴露于大气气氛的状态下,以照度为220mW/cm2及光量为500mJ/cm2的条件对所述粘着胶带照射紫外线,在23℃、50%RH下将PMMA板以用2kg辊往返一次的条件贴附于该粘着剂层的暴露面并放置30分钟之后,对该粘着胶带进行180°剥离时的剥离强度为1600mN/25mm以下。
  • 半导体芯片的制造方法和基板处理装置-202280018474.1
  • 山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 - 东京毅力科创株式会社
  • 2022-02-25 - 2023-10-20 - H01L21/301
  • 半导体芯片的制造方法包括下述(A)~(E)。(A),准备按第一半导体基板、器件层、剥离层、第三半导体基板的顺序包括第一半导体基板、器件层、剥离层以及第三半导体基板的层叠基板。(B),对所述第一半导体基板、所述器件层以及所述剥离层进行切割。(C),将进行所述切割后的所述层叠基板从与所述第三半导体基板相反的一侧与带进行贴合,并藉由所述带安装于框。(D),在将所述层叠基板安装于所述框之后,对所述剥离层照射透过所述第三半导体基板的激光光线,来在所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部形成改性层。(E),以形成于所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部的改性层为起点,来将所述第三半导体基板与所述剥离层剥离。
  • 半导体装置的制造方法-202280018923.2
  • 篠田智则;根本拓;加太章生 - 琳得科株式会社
  • 2022-02-28 - 2023-10-20 - H01L21/301
  • 本发明涉及半导体装置的制造方法,其依次包括下述工序(S1)~(S6),并进一步在工序(S5)之后包括下述工序(SD)。·工序(S1):在一面具备凸块的具有凸块形成面的晶片上以包覆其所述凸块及所述凸块形成面的方式形成能够从所述晶片剥离的第一固化性树脂层(X1)的工序,所述晶片具有设置于所述凸块形成面的槽或形成于晶片内部的改性区域;·工序(S2):将第一固化性树脂层(X1)的与所述凸块形成面为相反侧的表面平坦化的工序;·工序(S3):使第一固化性树脂层(X1)固化而形成磨削用固化物层(p1)的工序;·工序(S4):对所述晶片的与所述凸块形成面为相反侧的面进行磨削,将所述晶片沿着所述槽或所述改性区域单片化为多个芯片的工序;·工序(S5):在所述多个芯片的与所述凸块形成面为相反侧的面粘贴第二固化性树脂膜(x2f)而形成第二固化性树脂层(X2)的工序;·工序(S6):使第二固化性树脂层(X2)固化而形成保护膜(r)的工序;·工序(SD):将第二固化性树脂层(X2)或保护膜(r)沿着所述多个芯片间隔切断而分割成与各芯片相对应的形状的工序。
  • 胶带粘贴装置以及胶带盒-202180094438.9
  • 木崎清贵 - 株式会社东京精密
  • 2021-11-12 - 2023-10-20 - H01L21/301
  • [问题]提供一种胶带粘贴装置以及胶带盒,能够自动地实施切割胶带的切换与交换。[解决方案]粘贴装置(3)包括:基部(31),在该基部(31)中,将胶带盒(4)以可换装的方式设置,该胶带盒(4)以呈辊状卷绕的切割胶带(DT)的一部分被引出的状态收纳切割胶带(DT);可动导向辊(32a)、(32b)、固定导向辊(33a)、(33b)以及刀板(35),其能够移动以将切割胶带(DT)的一部分被引出的引出区域(R)限制到预定轨道。
  • 隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法-201880043967.4
  • 福元孝齐;山下茂之;中村优智 - 琳得科株式会社
  • 2018-02-02 - 2023-10-20 - H01L21/301
  • 本发明提供一种隐形切割用粘着片1,其至少用于将在内部形成有改质层的半导体晶圆,在室温环境下切断并分离成各个芯片,其具备:基材11与层叠在所述基材11的一面的侧的粘着剂层12,经由粘着剂层12将隐形切割用粘着片1贴附在硅晶圆上时,粘着剂层12与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为70N/(3mm×20mm)以上、250N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片1,即使在室温下进行扩展时,也可良好地将半导体晶圆单片化成芯片。
  • 胶带粘贴装置-202180093101.6
  • 木崎清贵 - 株式会社东京精密
  • 2021-11-12 - 2023-10-13 - H01L21/301
  • [课题]提供一种以适当张力将切割胶带粘贴到工件和切割支架上的胶带粘贴装置。[解决方案]胶带粘贴装置(1)沿着粘贴方向(D1)将切割胶带(DT)粘贴到工件(W)和切割支架(DF)上。胶带粘贴装置(1)包括:按压辊(34),其将切割胶带(DT)按压到工件(W)和切割支架(DF)上;以及支承销(4),其使切割胶带(DT)朝向宽度方向(D2)伸展。
  • 隐形切割用粘着片及半导体装置的制造方法-201880040196.3
  • 福元孝齐;山下茂之;中村优智 - 琳得科株式会社
  • 2018-02-02 - 2023-10-13 - H01L21/301
  • 本发明提供一种隐形切割用粘着片(1),其至少用于在室温环境下,将内部形成有改性层的半导体晶圆切断分离成各个芯片,所述隐形切割用粘着片(1)具备基材(11)及层叠于基材(11)的一面侧的粘着剂层(12),将隐形切割用粘着片(1)经由粘着剂层(12)而贴附于硅晶圆时,粘着剂层(12)与所述硅晶圆的界面在23℃下的剪切力为5N/(3mm×20mm)以上、70N/(3mm×20mm)以下。该隐形切割用粘着片(1)的芯片清洗性优异。
  • 保护膜形成用复合片及其制造方法-201880084834.1
  • 佐伯尚哉;古野健太 - 琳得科株式会社
  • 2018-03-30 - 2023-10-13 - H01L21/301
  • 本发明涉及一种保护膜形成用复合片,其具有具备基材且在所述基材上具备粘着剂层的支撑片,并在所述支撑片中的粘着剂层上具有保护膜形成用膜,所述基材的所述粘着剂层侧的面为凹凸面,从所述保护膜形成用复合片的5处切取试验片,并分别求出这5片试验片的粘着剂层的基材侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差、及保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面中的凸部的最高部位与凹部的最深部位之间的最大高低差时,所述粘着剂层的基材侧的面的最大高低差的平均值为1~7μm,且所述保护膜形成用膜的粘着剂层侧的面的最大高低差的平均值为2μm以下。
  • 加工装置及加工品的制造方法-202180093604.3
  • 深井元树;堀聡子;坂上雄哉;山本裕子;吉冈翔;片冈昌一 - 东和株式会社
  • 2021-12-23 - 2023-10-10 - H01L21/301
  • 本发明是减少加工装置的占据面积的装置,包括:基板收容部111,收容密封完毕基板W;切断用工作台2A、切断用工作台2B,通过切断机构4加工密封完毕基板W;接收台115,自基板收容部111接收密封完毕基板W;台移动机构117,具有用以使接收台115移动至搬送位置的移动轨道117a;第一保持机构3,为了将密封完毕基板W搬送至切断用工作台2A、切断用工作台2B而保持;以及搬送用移动机构7,具有用以使第一保持机构3在位于搬送位置的接收台115与切断用工作台2A、切断用工作台2B之间移动的传递轴71,传递轴71与移动轨道117a在平面视时相互正交。
  • 支撑片及保护膜形成用复合片-201780016815.0
  • 小桥力也 - 琳得科株式会社
  • 2017-03-13 - 2023-09-26 - H01L21/301
  • 本发明的支撑片具备基材、以及层叠于上述基材上的粘合剂层,其中,上述基材的具备上述粘合剂层的一侧表面的表面粗糙度(Ra)为0.4μm以下,上述基材的与具备上述粘合剂层的一侧相反侧的表面的表面粗糙度(Ra)大于具备所述粘合剂层的一侧表面的表面粗糙度,并且为0.053~0.48μm。本发明的保护膜形成用复合片具备上述支撑片、且在上述支撑片中的上述粘合剂层上进一步具备保护膜形成用膜而成。
  • 加工对象物切断方法和半导体芯片-201880025364.1
  • 坂本刚志 - 浜松光子学株式会社
  • 2018-04-12 - 2023-09-19 - H01L21/301
  • 加工对象物切断方法包括:第一步骤,准备具有单晶硅基板和设置于第一主面侧的功能元件层的加工对象物;第二步骤,通过对加工对象物照射激光,分别沿多条切断预定线在单晶硅基板的内部形成至少1列改质区域,并分别沿多条切断预定线在加工对象物以跨至少1列改质区域与加工对象物的第二主面之间的方式形成龟裂;以及第三步骤,通过对加工对象物从第二主面侧实施干式蚀刻,分别沿多条切断预定线在加工对象物形成开口于第二主面的沟槽。在第三步骤中,从第二主面侧实施干式蚀刻而去除至少1列改质区域,由此在沟槽的内表面形成呈现对应于被去除的改质区域的凹凸形状且使单晶硅露出的凹凸区域。
  • 工件加工用片及已加工工件的制造方法-201880063344.3
  • 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 - 琳得科株式会社
  • 2018-11-27 - 2023-09-15 - H01L21/301
  • 本发明为一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层,在所述粘着剂层内的位置中,在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处,利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率为20原子%以上、29原子%以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物的界面或工件加工用片与所得到的芯片的界面,边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
  • 加工装置-202180088694.7
  • 铃木芳邦;内山茂行 - 雅马哈发动机株式会社
  • 2021-02-10 - 2023-09-05 - H01L21/301
  • 对以上下方向为板厚方向的板状的被加工物(90)进行加工的加工装置(10)包括:控制部(11),控制加工装置(10)的动作;收容部(70),收容被加工物(90);运入运出部(110、120),具有载置被加工物90的运送手(113、123),相对于收容部(70)进行被加工物(90)的运出及运入;加工部(80),对被加工物(90)进行加工;保持部(30),保持被加工物(90)的上表面;及移动部(50),在运送手(113、123)与加工部(80)之间使保持部(30)水平移动,保持部(30)在运送手(113、123)的上方与运送手(113、123)之间进行被加工物(90)的交接,加工部(80)从下方对保持于保持部(30)的被加工物(90)进行加工。
  • 保护膜形成剂及半导体芯片的制造方法-202180089485.4
  • 木下哲郎;涩田裕介 - 东京应化工业株式会社
  • 2021-12-27 - 2023-09-01 - H01L21/301
  • 本发明提供保护膜形成剂,在半导体晶圆的切割中为了在半导体晶圆的表面形成保护膜而使用,能够形成可通过激光照射形成直进性优异的加工槽且氟屏蔽性优异的保护膜,以及提供使用该保护膜形成剂的半导体芯片的制造方法。该保护膜形成剂包含水溶性树脂(A)、吸光剂(B)与溶剂(S),其中水溶性树脂(A)包含水溶性树脂(A1),水溶性树脂(A1)具有芳香环与水溶性基。水溶性树脂(A)优选为具有苯环作为芳香族单环。
  • 工件加工用片及已加工工件的制造方法-201880063268.6
  • 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 - 琳得科株式会社
  • 2018-11-27 - 2023-08-29 - H01L21/301
  • 本发明为一种工件加工用片,其具备基材与粘着剂层,所述粘着剂层由含有丙烯酸类共聚物的粘着剂组合物所形成的活性能量射线固化性粘着剂构成,所述丙烯酸类共聚物包含(甲基)丙烯酸烷氧基酯,关于所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F1,以及将所述工件加工用片在23℃的蒸馏水中浸渍12小时,进一步以23℃干燥24小时后的所述工件加工用片对硅晶圆的粘着力F2,由粘着力的减小率(%)={(F1‑F2)/F1}×100计算的粘着力的减小率为20%以上50%以下。该工件加工用片可边抑制水渗入至工件加工用片与被切断物或所得到的芯片的界面,边利用流水良好地从被切断物上去除在加工半导体晶圆等被切断物时附着于该被切断物的源自粘着剂层的粘着剂。
  • 固晶膜、切割固晶片及半导体芯片的制造方法-201980006405.7
  • 布施启示 - 琳得科株式会社
  • 2019-03-20 - 2023-08-29 - H01L21/301
  • 本发明提供一种固晶膜,其包含第一层与设置在该第一层上的第二层,该第一层具有熔融黏度的初始检测温度为75℃以下的特性;该第二层具有粘着性及能量射线固化性;所述固晶膜还具有以下特性:将厚度为10μm且宽度大于25mm的该第二层作为试验片,将该试验片贴附在硅镜面晶圆上,以使宽度为25mm的方式切断该试验片,将切断后的该试验片与该硅镜面晶圆一同在纯水中浸渍2小时,使浸渍后的该试验片能量射线固化而制成固化物,从而制作在该硅镜面晶圆上贴附有该固化物的试验用层叠体时,宽度为25mm的该固化物与该硅镜面晶圆之间的粘着力为6N/25mm以上。
  • 分离装置以及分离方法-201810533974.4
  • 冈本直也;山田忠知;田久真也 - 琳得科株式会社
  • 2018-05-29 - 2023-08-29 - H01L21/301
  • 一种分离装置,对粘接片(AS)上的板状部件(WF)施加四个方向的张力而扩大由板状部件(WF)形成的多个片状体(CP)的间隔。分离装置(10)具备:多个保持机构(20),其由多个保持部件(21)保持粘接片(AS);伸长机构(30A、30B),其使保持部件(21)向四个方向中针对每个保持机构(20)而不同的一个方向移动,并且使该保持部件(21)向该一个方向的交叉方向移动而使粘接片(AS)伸长;控制机构(40),其对保持部件(21)基于伸长机构(30A,30B)的移动进行控制;控制机构(40)根据片状体(CP)的尺寸和间隔的目标值来计算粘接片(AS)的伸长量的目标值,使保持部件(21)在伸长机构(30A、30B)上移动,以使粘接片(AS)的伸长量成为其目标值。
  • 工件加工用片及已加工工件的制造方法-201880063272.2
  • 小笠原孝文;坂本美纱季;佐伯尚哉 - 琳得科株式会社
  • 2018-09-12 - 2023-08-29 - H01L21/301
  • 本发明为一种工件加工用片,其具备基材与层叠于所述基材的单面侧的粘着剂层,所述工件加工用片的特征在于,所述粘着剂层由活性能量射线固化性粘着剂构成,所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的、利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R0为28原子%以下,且在所述粘着剂层内的位置中,在距所述粘着剂层的与所述基材为相反侧的面的深度为100nm的位置处,利用X射线光电子能谱分析所测定的氧原子比率R100为20原子%以上、29原子%以下。该工件加工用片能够利用流水良好地去除附着于加工后的工件的源自粘着剂层的粘着剂,且同时可良好地分离加工后的工件。
  • 半导体装置的制造方法-201880070770.X
  • 冈本直也;阿久津高志;山田忠知 - 琳得科株式会社
  • 2018-11-07 - 2023-08-25 - H01L21/301
  • 本发明涉及一种半导体装置的制造方法,该方法依次具有下述工序(1)~(3),且在工序(3)之后使粘合片(A)的膨胀性粒子膨胀而将粘合片(A)从被粘附物分离。工序(1):将具有基材(Y2)及粘合剂层(X2)的粘合片(B)拉伸而扩大载置于粘合片(B)的粘合剂层(X2)上的多个芯片彼此间的间隔的工序;工序(2):将粘合片(A)的粘合剂层(X1)粘贴于所述多个芯片的与和粘合剂层(X2)相接触的面相反侧的面的工序;工序(3):将粘贴于粘合片(A)的所述多个芯片与粘合片(B)分离的工序。
  • 布线基板和其裁切方法、以及多层布线板-202180085992.0
  • 中村利美;小宫未希子;松浦宜范 - 三井金属矿业株式会社
  • 2021-12-10 - 2023-08-22 - H01L21/301
  • 本发明提供一种能够提高裁切时和裁切之后的机械强度、耐水性、耐湿性和产品成品率的布线基板。该布线基板具备:器件区域,在该器件区域中,由金属层构成的主布线图案埋设于绝缘层中;周边区域,其围绕在器件区域的周围,在该周边区域中,与主布线图案电独立的、由金属层构成的虚设布线图案埋设于绝缘层中;以及绝缘边界区域,其介于器件区域与周边区域之间,是由绝缘层构成的、不存在金属层的区域。在俯视的情况下,绝缘边界区域具有如下的曲折形状,通过该曲折形状,能够与器件区域的外缘的至少1边的内接线平行地划出交替地横切构成虚设布线图案的金属层和构成绝缘边界区域的绝缘层的假想直线。在俯视的情况下,器件区域隔着绝缘边界区域与假想直线完全分开。
  • 固晶片、及带膜状粘合剂的半导体芯片的制造方法-202080018411.7
  • 岩屋涉;佐藤阳辅 - 琳得科株式会社
  • 2020-03-06 - 2023-08-18 - H01L21/301
  • 本发明提供一种固晶片(101),其具备基材(11),并通过在基材(11)上依次层叠粘着剂层(12)、中间层(13)及膜状粘合剂(14)而构成,针对基材(11)的试验片,进行热机械分析,将23℃时的位移量设为X0、将升温至70℃时的位移量的最大值设为X1、将在23℃的温度条件下放冷时的位移量的最小值设为X2时,(X1‑X0)/15×100为0~2%、(X2‑X1)/15×100为‑2~0%、(X2‑X0)/15×100为‑2~1%。
  • 部件制造用膜及部件的制造方法-201780019314.8
  • 林下英司 - 三井化学东赛璐株式会社
  • 2017-03-14 - 2023-08-18 - H01L21/301
  • 本发明的课题是提供即使在伴有温度变化的环境中使用的情况下,也可以在吸附停止后易于从平台面取下,使与平台面的密合状态稳定的半导体部件制造用膜和电子部件制造用膜。进一步提供使用了这样的半导体部件制造用膜的半导体部件的制造方法,以及使用了这样的电子部件制造用膜的电子部件的制造方法。作为解决本发明课题的方法,本部件制造用膜1是半导体部件或电子部件的制造方法所使用的膜,具备基层11以及设置于其一面11a侧的粘着材层12,基层的未设置粘着材层的一面的表面的Ra(μm)为0.1~2.0,Rz(μm)为1.0~15。本方法使用部件制造用膜1,具备单片化工序和拾取工序,在拾取工序前具备评价工序。
专利分类
×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top