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公布日期
2020-09-11 公布专利
2020-09-08 公布专利
2020-09-04 公布专利
2020-09-01 公布专利
2020-08-28 公布专利
2020-08-25 公布专利
2020-08-21 公布专利
2020-08-18 公布专利
2020-08-14 公布专利
2020-08-11 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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[发明专利]用于利用支撑结构形成三维存储器件的方法和产生的三维存储器件在审

【摘要】:
提供了用于形成三维(3D)存储器件的结构和方法的实施例。在一个示例中,3D存储器件包括存储堆叠层、多个沟道结构、缝隙结构和源极结构。所述存储堆叠层可以是位于衬底上的,并且可以包括在横向上在所述存储堆叠层中延伸的交织的多个导体层和多个绝缘层。所述多个沟道结构可以在纵向上贯穿所述存储堆叠层延伸到所述衬底中。所述缝隙结构可以在纵向和横向上在所述存储堆叠层中延伸,并且将所述多个存储单元划分成至少一个存储块。所述缝隙结构可以包括沿所述缝隙结构的侧壁在纵向上布置的多个凸出部分和多个凹陷部分。
【主权项】:
暂无信息
申请号: 201980001849.1 申请日: 2019-08-23
公开/公告号: CN110896673A 公开/公告日: 2020-03-20
申请/专利权人: 长江存储科技有限责任公司
发明/设计人: 霍宗亮;杨号号;徐伟;严萍;黄攀;周文斌
主分类号: H01L27/11578
分类号: H01L27/11578;H01L27/11582;H01L27/11568
搜索关键词: 用于 利用 支撑 结构 形成 三维 存储 器件 方法 产生
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