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公布日期
2020-09-11 公布专利
2020-09-08 公布专利
2020-09-04 公布专利
2020-09-01 公布专利
2020-08-28 公布专利
2020-08-25 公布专利
2020-08-21 公布专利
2020-08-18 公布专利
2020-08-14 公布专利
2020-08-11 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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[发明专利]具有位于缝隙结构中的支撑结构的三维存储器件和用于形成其的方法在审

【摘要】:
提供了用于形成三维(3D)存储器件的结构和方法的实施例。在一个示例中,3D存储器件包括堆叠层结构和至少一个源极结构,所述至少一个源极结构在纵向和横向上延伸,并且将所述堆叠层结构划分成多个存储块区域。所述堆叠层结构可以包括被交织在衬底上的多个导体层和多个绝缘层。所述至少一个源极结构包括沿所述纵向方向延伸到所述衬底的至少一个支撑结构,所述至少一个支撑结构与所述相应的源极结构的至少侧壁接触。
【主权项】:
暂无信息
申请号: 201980001834.5 申请日: 2019-08-23
公开/公告号: CN110896666A 公开/公告日: 2020-03-20
申请/专利权人: 长江存储科技有限责任公司
发明/设计人: 霍宗亮;杨号号;徐伟;严萍;黄攀;周文斌
主分类号: H01L27/11524
分类号: H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/417;H01L21/28
搜索关键词: 具有 位于 缝隙 结构 中的 支撑 三维 存储 器件 用于 形成 方法
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代理公司: 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 代理人: 张殿慧;刘健
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