[发明专利]具有差分架构的2T2R阻变式存储器、MCU及设备有效
| 申请号： | 201980000337.3 | 申请日： | 2019-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN111902873B | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/14 | 分类号： | G11C17/14 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;臧建明 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请提供一种具有差分架构的2T2R阻变式存储器、MCU及设备。该存储器包括多个存储单元构成的存储单元阵列；每个存储单元包括第一晶体管、第二晶体管、第一阻变器件和第二阻变器件；第一晶体管的栅极和第二晶体管的栅极连接在同一根字线上，第一晶体管的源极和第二晶体管的源极分别连接在第一位线和第二位线上，第一晶体管的漏极与第一阻变器件的第一电极连接，第二晶体管的漏极与第二阻变器件的第一电极连接，第一阻变器件的第二电极和第二阻变器件的第二电极连接在同一根源线上；第一阻变器件与第二阻变器件的第一电极位于同一层，第一阻变器件与第二阻变器件的第二电极位于同一层。从而可以保证所述存储器的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 架构 t2r 阻变式 存储器 mcu 设备 | ||
【主权项】：
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