[实用新型]真空腔室用输送装置和半导体处理设备有效
申请号: | 201920254432.3 | 申请日: | 2019-02-28 |
公开(公告)号: | CN209619446U | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | 张进秋;张金斌 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 102200 北京市昌平*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种真空腔室用输送装置和半导体处理设备。输送装置包括若干个并排间隔设置的输送滚轮;至少一个纠偏机构,位于待输送件的外侧,纠偏机构包括水平纠偏组件,其包括第一安装座、第一水平导向轮、第一水平轴、第二安装座、第二水平导向轮和第二水平轴;第一水平导向轮通过第一水平轴与第一安装座可转动连接;第二水平导向轮通过第二水平轴与第二安装座可转动连接;第一水平导向轮和第二水平导向轮沿平行于待输送件的传输方向两侧相对间隔设置,且第一水平轴和第二水平轴均垂直于传输方向。这样,如果待输送件在水平方向上发生偏移,水平导向轮会向待输送件提供纠偏力以阻止待输送件发生偏移,提高待输送件的输送精度。 | ||
搜索关键词: | 水平导向轮 待输送件 输送装置 半导体处理设备 第二安装座 第一安装座 可转动连接 传输方向 纠偏机构 真空腔室 偏移 并排间隔设置 本实用新型 间隔设置 纠偏组件 输送滚轮 纠偏 平行 垂直 | ||
【主权项】:
1.一种真空腔室用输送装置,其特征在于,包括:若干个输送滚轮,用于输送待输送件,所述若干个输送滚轮并排间隔设置;至少一个纠偏机构,所述纠偏机构位于所述待输送件的外侧,所述纠偏机构包括水平纠偏组件,所述水平纠偏组件包括第一安装座、第一水平导向轮、第一水平轴、第二安装座、第二水平导向轮和第二水平轴;其中,所述第一水平导向轮通过所述第一水平轴与所述第一安装座可转动连接;所述第二水平导向轮通过所述第二水平轴与所述第二安装座可转动连接;所述第一水平导向轮和所述第二水平导向轮沿平行于所述待输送件的传输方向两侧相对间隔设置,且所述第一水平轴和所述第二水平轴均垂直于所述传输方向。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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