[实用新型]一种散热型磁性元器件有效
| 申请号： | 201920201963.6 | 申请日： | 2019-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN209401653U | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 徐晖;熊学志;康和群;匡子龙 | 申请（专利权）人： | 爱普科斯电阻电容（珠海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 卢泽明 |
| 地址： | 519000 广东省珠海市金湾区红旗镇工业区虹晖*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种散热型磁性元器件，包括磁性元器件本体、金属外壳和散热底座，所述磁性元器件本体包括磁芯和绕制于所述磁芯上的线圈；所述金属外壳的底部固定于所述散热底座上，所述金属外壳内设有与所述磁性元器件外形匹配的散热腔，所述磁性元器件本体固定于所述散热腔内，所述散热腔内的空隙处填充有导热胶。采用本实用新型实施例，能够及时将磁性元器件的热量通过导热胶和金属外壳传导至散热底座，从而提高磁性元器件的散热效率。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性元器件 金属外壳 散热底座 散热腔 本实用新型 导热胶 散热型 磁芯 散热效率 外形匹配 空隙处 传导 绕制 填充 | ||
【主权项】：
1.一种散热型磁性元器件，其特征在于，包括磁性元器件本体、金属外壳和散热底座，所述磁性元器件本体包括磁芯和绕制于所述磁芯上的线圈；所述金属外壳的底部固定于所述散热底座上，所述金属外壳内设有与所述磁性元器件本体外形匹配的散热腔，所述磁性元器件本体固定于所述散热腔内，所述散热腔内的空隙处填充有导热胶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱普科斯电阻电容（珠海）有限公司，未经爱普科斯电阻电容（珠海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201920201963.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发电薄膜及可穿戴设备
- 下一篇：笔段式OLED显示面板和显示装置
- 同类专利
- 自旋电子装置、双工器、收发器和电信装置-201780088815.1
- R·多兰斯;F·谢赫 - 英特尔公司
- 2017-03-23 - 2019-11-12 - H01L43/02
- 自旋电子装置包括第一铁磁层。第一铁磁层包括第一磁极化方向。此外，自旋电子装置包括第二铁磁层。第二铁磁层包括与第一方向相对的第二磁极化方向。此外，自旋电子装置包括长自旋寿命层。此外，自旋电子装置包括设置在第一铁磁层和长自旋寿命层之间的第一隧道势垒层。此外，自旋电子装置包括设置在第二铁磁层和长自旋寿命层之间的第二隧道势垒层。
- 垂直磁各向异性磁性纳米点阵列器件、制备方法及其应用-201710301626.X
- 任杨;刘铸;李喜玲 - 云南大学
- 2017-05-02 - 2019-10-25 - H01L43/02
- 本发明涉及一种磁性纳米点阵列器件，包括绝缘材料的衬底以及附着于衬底上的单元，单元为矩形点阵列，矩形点阵列由具有垂直各向异性的多层磁性材料构成，矩形为等边矩形且其边长为w，矩形之间的间距为s，矩形的厚度为d，其中：w∈(100nm,1um)，d∈(5nm,50nm)，s∈(50nm,1950nm)，s:d∈(10,5)，各矩形的各尖角处均进行圆角处理。上述器件的纳米点之间的间距变化(其变化范围从100纳米到1950纳米)并不影响矫顽力以及反转场分布，而当纳米点尺寸变化范围小于100纳米内，其矫顽力最大变化率约为60％以及反转场分布最大变化率约为12％。
- 一种电调控交换偏置方法、器件及其制备方法-201910643425.7
- 杜军;魏陆军;徐永兵;刘若柏;袁源;王佶;刘波 - 浙江驰拓科技有限公司;南京大学
- 2019-07-17 - 2019-10-08 - H01L43/02
- 本发明公开了一种电调控交换偏置方法，包括以下步骤：S11：电调控器件的原始态处于高阻态。将电调控器件的电压从0V开始向负电压扫描，扫描至‑4.2V时的限制电流设定为1mA，此时电调控器件开启，由高阻态转化为低阻态，矫顽力和交换偏置场处于最小值。然后继续扫描至‑5V，再从‑5V扫描至0V；S21：取消限流，从0V开始向正电压扫描，扫描至3.2V时电调控器件重置，由低阻态转化为高阻态，矫顽力和交换偏置场处于最大值；然后继续扫描至5V，再从5V扫描至0V。本发明还公开了一种电调控器件及其制备方法。本发明能够实现室温下、可逆、非易失、可重复的电调控交换偏置效应。
- 一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器-201910496288.9
- 沈来川;周艳;夏静;张溪超;赵国平 - 深圳市思品科技有限公司
- 2019-06-10 - 2019-09-17 - H01L43/02
- 本发明公开一种基于反铁磁斯格明子的微波振荡器，包括将垂直穿过的电流极化生成极化电流的固定层、设置在固定层下面的隧穿绝缘层和设置在隧穿绝缘层下面的自由层；所述的自由层为承载斯格明子的反铁磁纳米盘，在所述的反铁磁纳米盘露出隧穿绝缘层的部分上覆盖有第二隧穿绝缘层，在所述的第二隧穿绝缘层上覆盖有金属层；在金属层与反铁磁纳米盘之间引出微波振荡器的输出振荡信号。本发明提出的振荡器用反铁磁纳米盘去承载斯格明子，振荡频率可达到几十GHz。
- 一种散热型磁性元器件-201920201963.6
- 徐晖;熊学志;康和群;匡子龙 - 爱普科斯电阻电容（珠海）有限公司
- 2019-02-15 - 2019-09-17 - H01L43/02
- 本实用新型公开了一种散热型磁性元器件，包括磁性元器件本体、金属外壳和散热底座，所述磁性元器件本体包括磁芯和绕制于所述磁芯上的线圈；所述金属外壳的底部固定于所述散热底座上，所述金属外壳内设有与所述磁性元器件外形匹配的散热腔，所述磁性元器件本体固定于所述散热腔内，所述散热腔内的空隙处填充有导热胶。采用本实用新型实施例，能够及时将磁性元器件的热量通过导热胶和金属外壳传导至散热底座，从而提高磁性元器件的散热效率。
- 磁性器件以及对磁性器件的磁性结进行写入的方法-201910131941.1
- D.阿帕尔科夫;V.尼基廷 - 三星电子株式会社
- 2019-02-22 - 2019-09-10 - H01L43/02
- 描述了磁性器件以及对该磁性器件编程的方法。该磁性器件包括多个磁性结和具有多个侧面的至少一个自旋‑轨道相互作用(SO)活性层。SO活性层(们)在与所述多个侧面基本上平行的方向(们)上传输电流。磁性结(们)的每个与所述侧面相邻并且基本上围绕SO活性层的一部分。每个磁性结包括自由层、参考层和在参考层与自由层之间的非磁性间隔物层。SO活性层(们)由于穿过SO活性层(们)的电流而对自由层施加SO转矩。自由层在稳定磁性状态之间可切换。自由层可以使用所述电流进行写入，并且在一些方面可以使用驱动经过磁性结的另一电流进行写入。
- 一种高密度磁性存储器件-201710812254.7
- 赵巍胜;王昭昊;王梦醒;张磊 - 北京航空航天大学
- 2017-09-11 - 2019-09-10 - H01L43/02
- 本发明一种高密度磁性存储器件，在一条厚度为0～20nm的重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜上制造多个磁隧道结，每个磁隧道结代表一个存储位元。磁隧道结从下到上由厚度为0～3nm的第一铁磁金属，厚度为0～2nm的第一氧化物，厚度为0～3nm的第二铁磁金属，厚度为0～20nm的第一合成反铁磁层和厚度为10～200nm的第X顶端电极构成，其中X的值为磁隧道结代表的位元编号；重金属条状薄膜或反铁磁条状薄膜的两端分别镀有第一底端电极和第二底端电极。本发明可应用于高密度存储器和逻辑电路；采用单向电流写入数据，提高电路集成度，降低写入功耗和写入电压，减小读取干扰，有利于减少工艺复杂度和制造成本。
- 具有增强的垂直各向异性的垂直自旋转移矩存储器(pSTTM)器件及其形成方法-201680091261.6
- M·T·拉赫曼;C·J·维甘德;K·奥乌兹;D·G·韦莱特;B·梅茨;K·P·奥布莱恩;M·L·多齐;B·S·多伊尔;O·戈隆茨卡;T·加尼 - 英特尔公司
- 2016-12-30 - 2019-07-16 - H01L43/02
- 用于pSTTM器件的材料层堆叠体包括固定磁性层，设置在固定磁性层上方的隧道势垒和设置在隧道势垒上的自由层。自由层还包括双层的堆叠体，其中，最上面的双层由包括铁的磁性层覆盖，并且其中，自由层中的每一个双层包括设置在磁性层上的诸如钨、钼的非磁性层。在实施例中，非磁性层具有的组合厚度小于双层的堆叠体中的磁性层的组合厚度的15％。包括自由层中的非磁性层的双层的堆叠体可以降低用于pSTTM器件的材料层堆叠体的饱和磁化，并且随后增加垂直磁各向异性。
- 磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法-201910089450.5
- 徐晨祐;黄韦翰;刘世昌;蔡嘉雄 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2013-09-30 - 2019-07-12 - H01L43/02
- 本发明公开了一种磁阻式随机存取存储器(MRAM)结构，包括底部电极结构。磁性隧道结(MTJ)元件位于底部电极结构上方。MTJ元件包括反铁磁材料层。铁磁固定层位于反铁磁材料层上方。隧道层位于铁磁固定层上方。铁磁自由层位于隧道层上方。铁磁自由层具有第一部分和消磁的第二部分。该MRAM结构还包括位于第一部分上方的顶部电极结构。本发明还公开了磁阻式随机存取存储器结构及其形成方法。
- 一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器-201811083208.9
- 李梦蕾;江伟;周梅;张平;郑法伟 - 北京应用物理与计算数学研究所
- 2018-09-17 - 2019-06-28 - H01L43/02
- 本发明提供了一种基于挠曲机制的三碘化铬电流自旋控制器，包括：三碘化铬磁性膜、衬底、压电晶体和电源；三碘化铬磁性膜在膜厚度方向上与衬底固定连接，三碘化铬磁性膜和衬底在第一方向上的一边均固定，且衬底在第一方向上的另一边与压电晶体在垂直于形变方向上的一侧固定连接；三碘化铬磁性膜在第二方向上的边用于通过待自旋过滤的电流；电源的一端与压电晶体在垂直于电场方向上的一侧相连，另一端与压电晶体在垂直于电场方向上的另一侧相连。该电流自旋控制器通过压电晶体的形变使衬底弯曲，导致CrI3膜受到挤压或拉伸，可将经过CrI3薄膜的非自旋极化的电流过滤成单自旋且自旋极化方向可控的电流，也可不改变经过CrI3薄膜的电流性质。
- 垂直磁性元件的杂散场的自补偿-201580041985.5
- W-C·陈;X·朱;X·李;Y·陆;C·朴;S·H·康 - 高通股份有限公司
- 2015-06-10 - 2019-06-07 - H01L43/02
- 垂直磁性隧道结(pMTJ)器件(500)包括：垂直基准层(314)、该垂直基准层的表面上的隧道势垒层(310)、以及该隧道势垒层的表面上的垂直自由层(308)。该pMTJ器件还包括在隧道势垒层上且围绕垂直自由层的电介质钝化层(312)。该pMTJ器件进一步包括电介质钝化层上的高磁导率材料(406)，该高磁导率材料被配置成由垂直基准层磁化以及向垂直自由层提供补偿来自该垂直基准层的杂散场的杂散场。
- 一种自旋波波片-201611261974.0
- 兰金;余伟超;肖江 - 复旦大学
- 2016-12-31 - 2019-05-31 - H01L43/02
- 本发明属于磁性器件技术领域，具体为一种自旋波波片。该自旋波波片基于具有DMI效应的反铁磁材料（或人工反铁磁结构），其结构为一垂直磁化的反铁磁纳米线，该纳米线中存在两块磁化方向相反的磁畴与一磁畴壁。当体系具有DMI效应时，平行于磁畴壁的线偏模式与垂直于磁畴壁的线偏模式会经历不同的传播过程，从而产生相位差，由此入射的自旋波的偏振状态能够被任意调控。本发明结构简单，易于制备，功耗小，易与现有电子芯片技术结合，可用于有效操控自旋波的偏振特性并实现进一步的逻辑运算。
- 具热稳定性的自旋轨道扭力式磁性随存储存器-201610264087.2
- 赖志煌;蔡明翰;黄国峰 - 赖志煌
- 2016-04-26 - 2019-04-12 - H01L43/02
- 一种具热稳定性的自旋轨道扭力式磁性随存储存器，包含一基板及一设置于基板并具一磁性自由层的自旋轨道扭力式记忆胞。该磁性自由层包括一铁磁性的第一金属膜、接触该第一金属膜且分别呈反铁磁性与自旋霍尔效应的第二、三金属膜。该第一金属膜具有介于0.5‑1.5nm间的第一厚度。第二金属膜具有一足以对磁性自由层提供有一交换偏移场HEB且大于6nm的第二厚度。HEB是在沿该第一金属膜的一难轴对该磁性自由层同时提供有一外加磁场及一交流脉冲电讯号以达该交流脉冲电讯号所产生的一临界电流密度时所形成。该第二金属膜是未经垂直场退火与非经垂直场镀膜所构成的一IrMn合金膜。该磁性自由层本质上在该达临界电流密度时具一矫顽场(HC)，且|HEB|>|HC|。
- 一种基于AMR效应的传感器结构及其制作方法-201811259314.8
- 周子尧;苏玮;张晓慧;刘明;胡忠强;关蒙萌 - 西安科汇电子科技有限公司
- 2018-10-26 - 2019-04-09 - H01L43/02
- 本发明公开了一种AMR传感器结构及其制作方法，包括基底，沉积在基底上的若干平行的磁阻条，连接磁阻条的惠斯通电桥结构，以及均匀覆盖于磁阻条上的若干巴贝电极；基底设在两对相对设置的一级电极之间，在衬底两侧对称分布有二级电极，磁阻条设在二级电极之间，巴贝电极平行倾斜分布在二级电极与磁阻条之间；在二级电极两端部设有功能层。该传感器可以获得更大的变化率，同时可以有效提高传感器的灵敏度，有效的提高了器件的工作效率和应用范围。
- 电子设备及其制造方法-201810953136.2
- 林钟久;郑求烈;李哉衡;金正明;李泰荣 - 爱思开海力士有限公司
- 2018-08-21 - 2019-03-15 - H01L43/02
- 一种电子设备可以包括半导体存储器，而半导体存储器可以包括：可变电阻元件，其包括磁隧道结MTJ结构，磁隧道结MTJ结构包括具有可变磁化方向的自由层、具有固定磁化方向的被钉扎层以及介于自由层与被钉扎层之间的隧道阻挡层；第一保护层，其设置在可变电阻元件的下侧壁上；以及第二保护层，其设置在可变电阻元件的上侧壁上，其中，第一保护层和第二保护层中的任意一个层可以向可变电阻元件施加压缩应力，而另一个层向可变电阻元件施加拉伸应力。
- 连续可控产生磁性斯格明子的器件及方法-201810705727.8
- 王永;郑亚卿 - 南开大学
- 2018-07-02 - 2019-01-11 - H01L43/02
- 本发明属，为提出产生磁性斯格明子的方法，用于设计、生产基于磁性斯格明子的器件。为此，本发明采用的技术方案是，连续可控产生磁性斯格明子的器件，由任意的可以产生磁性斯格明子的磁性材料薄膜加工而成的一个不同部位的横向宽度不同的结以及附加于该结的金属材料层构成，金属材料层用于承载自旋极化电流。本发明主要应用于磁性斯格明子器件的设计制造。
- 存储器件-201780022500.7
- 朴在勤;李斗荣;李承垠 - 汉阳大学校产学协力团
- 2017-02-03 - 2019-01-04 - H01L43/02
- 本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极，在上述磁隧道结和覆盖层之间形成扩散阻挡层。并且，本发明公开存储器件，即，在基板层叠下部电极、种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结、覆盖层及上部电极。上述种子层由使上述合成交换半磁性层向面心立方结构(111)方向形成的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，上述磁隧道结包括形成于两个自由层之间的插入层，上述分离层、插入层及覆盖层的至少一个由体心立方结构的物质形成。并且，本发明公开存储器件，即，在两个电极之间层叠种子层、合成交换半磁性层、分离层、磁隧道结及覆盖层，上述合成交换半磁性层分别包括一个磁性层及非磁性层。
- 一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法-201710443581.X
- 张云森;肖荣福;郭一民;陈峻 - 上海磁宇信息科技有限公司
- 2017-06-13 - 2018-12-25 - H01L43/02
- 一种制作磁性随机存储器顶电极孔的方法，包括：在表面抛光的CMOS基底上形成底电极，并在底电极上形成包括硬掩膜层的磁性隧道结多层膜；在硬掩膜层上图形化定义磁性隧道结图案，利用硬掩膜层对磁性隧道结多层膜和底电极进行图案刻蚀；在刻蚀后的底电极和磁性隧道结多层膜及硬掩膜周围和顶部沉积一层电介质覆盖层；对电介质覆盖层进行平坦化处理，使平坦化处理处理之后的电介质覆盖层顶部和硬掩膜层顶部之间的距离处于预定范围；沉积顶电极通孔电介质层，对顶电极通孔电介质层进行图形化和刻蚀以形成顶电极通孔，刻蚀最终停止在电介质覆盖层顶部；再次进行刻蚀完全去掉硬掩膜上的电介质覆盖层和硬掩膜氧化层，从而形成高电导通的顶电极通孔。
- 一种驱动磁性斯格明子运动的方法-201810858468.2
- 杨文瑞;杨欢欢;曹云珊;严鹏 - 电子科技大学
- 2018-07-31 - 2018-12-21 - H01L43/02
- 本发明提供一种驱动磁性斯格明子运动的方法，本发明通过对铁磁薄膜或者反铁磁薄膜上斯格明子施加线性拉盖尔‑高斯型涡旋光场，光轨道角动量转移进而实现斯格明子的输运。相较现阶段电流驱动斯格明子的方式而言，此方式可以使斯格明子翻越大尺度的缺陷从而避免被缺陷捕获，同时不会破坏磁结构，有效地避免了斯格明子霍尔效应，具有速度快、操作方法简单的特点，而相比于铁磁薄膜，反铁磁薄膜上斯格明子的运动速度更快，这对于提升存储器件的数据传输速度是很有意义的。
- 用于垂直磁隧道结(pMTJ)的应变工程的方式以及所得到的结构-201680084322.6
- D.G.奥埃莱特;C.J.韦冈德;MD.T.拉曼;B.梅尔茨;O.戈隆兹卡;J.S.布罗克曼;K.P.奥布赖恩;B.S.多伊尔;K.奥古茨;T.加尼;M.L.多齐 - 英特尔公司
- 2016-03-30 - 2018-11-23 - H01L43/02
- 描述用于垂直磁隧道结(pMTJ)的应变工程的方式以及所得到的结构。在示例中，存储器结构包括设置在衬底上方的垂直磁隧道结(pMTJ)元件。横向应变诱导材料层设置在pMTJ元件上。层间介电(ILD)层与pMTJ元件和横向应变诱导材料层两者横向相邻地设置。ILD层具有与横向应变诱导材料层的最上表面共面或者基本上共面的最上表面。
- 用于垂直磁性隧道结器件的具有短接路径的氧化镁覆顶-201580048208.3
- C·朴;K·李;J·康;M·G·戈特瓦尔德;X·朱;S·H·康 - 高通股份有限公司
- 2015-07-17 - 2018-11-16 - H01L43/02
- 一种磁性隧道结(MTJ)器件(300)包括：钉扎层(314)、在该钉扎层上的隧道势垒层(310)、以及在该隧道势垒层上的自由层(308)。该MTJ器件还包括在该自由层上的垂直磁性各向异性(PMA)增强层(306)、在该PMA增强层上的覆顶层(302)、以及将该覆顶层、该PMA增强层和该自由层电短路的导电路径(304，305)。
- 磁存储器及其提供方法和编程方法-201310376493.4
- A.V.卡瓦尔科夫斯基;D.阿帕尔科夫 - 三星电子株式会社
- 2013-08-26 - 2018-11-13 - H01L43/02
- 本发明提供了一种磁存储器及其提供方法和编程方法。该磁存储器包括磁性结和至少一个自旋轨道相互作用（SO）有源层。每个磁性结包括数据存储层，该数据存储层是磁性的。SO有源层与磁性结的数据存储层相邻。SO有源层被配置为由于在一方向上经过至少一个SO有源层的电流而在数据存储层上施加SO扭矩，该方向实质上垂直于至少一个SO有源层和多个磁性结中最靠近至少一个SO有源层的磁性结的数据存储层之间的方向。数据存储层被配置为使用至少SO扭矩是可切换的。
- 用于将STT-MRAM存储器阵列集成到逻辑处理器中的方法以及所得结构-201680083332.8
- K.J.李;O.戈隆兹卡;T.加尼;R.A.布赖因;王奕 - 英特尔公司
- 2016-03-07 - 2018-11-09 - H01L43/02
- 描述了用于将自旋扭矩转移磁性随机存取存储器（STT‑MRAM）存储器阵列集成到逻辑处理器中的方法以及所得结构。在一示例中，逻辑处理器包括逻辑区，逻辑区包括部署在电介质层中的金属线/通路配对，电介质层部署在衬底上方。逻辑处理器还包括具有多个磁性隧道结（MTJ）的自旋扭矩转移磁阻随机存取存储器（STT‑MRAM）阵列。MTJ部署在电介质层中。
- 一种存储器件及其制造方法-201810517175.8
- 叶建国;叶钊赫;苗君 - 叶建国
- 2018-05-25 - 2018-11-02 - H01L43/02
- 本发明提供一种存储器件及其制作方法，一种存储器件，包括柔性衬底、铁磁层、耦合层﹑调控层﹑电极。采用聚醚砜(PES)或者聚对苯二甲酸乙二醇酯(PI)做柔性衬底，重金属薄膜Ta或者Pt作电极，铁磁层Co(CoFe)薄膜、耦合层Al2O3薄膜和调控层P(VDF‑TrFE)薄膜位于两电极之间。其制作方法采用磁控溅射法和旋涂法。通过采用有机铁电聚合物P(VDF‑TrFE)作为调控层，利用P(VDF‑TrFE)的自发极化翻转来非易失地调控铁磁层的反常霍尔磁电阻。
- 用于集成MRAM器件的互连帽盖过程以及所产生的结构-201680082763.2
- C·J·维甘德;O·戈隆茨卡;M·T·拉赫曼;B·S·多伊尔;M·L·多齐;K·P·奥布莱恩;K·奥乌兹;T·加尼;S·苏里 - 英特尔公司
- 2016-03-28 - 2018-10-23 - H01L43/02
- 描述了用于集成磁随机存取存储器(MRAM)器件的互连包覆过程的方案以及所产生的结构。在示例中，一种存储器结构包括：设置在衬底上方的电介质层的沟槽中的互连，所述互连包括设置在所述沟槽的底部并且沿所述沟槽的侧壁设置到所述电介质层的最高表面的扩散阻挡层、设置在所述扩散阻挡层上并且凹陷到所述电介质层的最高表面和所述扩散阻挡层的最高表面下方的导电填充层、以及设置在所述导电填充层上以及所述扩散阻挡层的侧壁部分之间的导电帽盖层。存储器元件设置在所述互连的导电帽盖层上。
- 用于形成包括集成自旋转移力矩磁阻随机存取存储器的逻辑的技术-201680083077.7
- K.J.李;O.戈隆兹卡;T.加尼;R.A.布赖因;王奕 - 英特尔公司
- 2016-04-01 - 2018-10-23 - H01L43/02
- 公开了用于形成包括集成自旋转移力矩磁阻随机存取存储器（STT‑MRAM）的逻辑装置的技术。根据一些实施例，可以在主逻辑装置的给定的后道（BEOL）互连层内形成一个或多个磁性隧道结（MTJ）装置。根据一些实施例，可以在导电层上方形成给定的MTJ装置，所述导电层配置成用作对于MTJ的构成磁性和绝缘体层的基座层。根据一些实施例，可以在给定的MTJ装置和伴随的基座层的侧壁上方形成一个或多个保形间隔层，提供保护以免于氧化和腐蚀。根据一些实施例，给定的MTJ装置可以例如通过配置成用作薄通孔的另一居中导电层与底层互连或其他导电特征电耦合。
- 具有三维感测的集成磁通门装置-201780009473.X
- A·莫汉;W·D·弗雷茨;U·伊德姆帕伊维特 - 德克萨斯仪器股份有限公司
- 2017-02-06 - 2018-09-28 - H01L43/02
- 本发明所描述的示例包括电磁感测装置(100)，其具有封装基板(102)、安装在封装基板(102)上的第一管芯(110)以及安装在封装基板(102)上的第二管芯(150)。第一管芯(110)包括第一集成电路(113)和形成在第一集成电路(113)上方的第一磁芯(116)。第一磁芯(116)具有平行于封装基板(102)的平坦表面(103)的第一感测轴(132)。第二管芯(150)包括第二集成电路(153)和形成在第二集成电路(153)上方的第二磁芯(156)。第二磁芯(156)具有正交于封装基板(102)的平坦表面(103)的第二感测轴(172)。
- 磁阻随机存取存储器单元及其制造方法-201810293503.0
- 吴国铭;郑凯文;蔡正原;蔡嘉雄 - 台湾积体电路制造股份有限公司
- 2013-07-12 - 2018-09-18 - H01L43/02
- 本发明提供了一种半导体存储器件。该器件包括：具有反铁磁材料并设置在第一电极上方的固定层；设置在该固定层上方的被固定层；设置在该被固定层上方的隧道层，设置在该隧道层上方的自由层以及设置在该自由层上方的保护层。该保护层包括金属氧化物和金属氮化物材料。本发明提供磁阻随机存取存储器单元及其制造方法。
- 可贴装磁敏器件及制造工艺-201721816129.5
- 华良 - 杭州友旺科技有限公司
- 2017-12-22 - 2018-08-28 - H01L43/02
- 公开了一种可贴装磁敏器件包括：衬底；锑化铟薄膜，设置在所述衬底之上；至少两个导电型通孔结构，贯穿所述衬底的上下表面；其中，所述导电型通孔结构的第一部分位于所述衬底上表面延伸与所述锑化铟薄膜相连，第二部分位于所述衬底下表面延伸形成焊盘。本实用新型提供的可贴装磁敏器件，通过贯穿衬底上下表面的导电型通孔结构及衬底下表面延伸出的焊盘，省略了导线打线工艺，避免了在锑化铟薄膜上方打线而损坏锑化铟薄膜，保证了可贴装磁敏器件的质量，提高了可贴装磁敏器件的灵敏度和一致性。
- 专利分类
