[实用新型]一种基于MgO:LN晶体电光腔倒空全固态脉冲激光器有效
| 申请号： | 201920037577.8 | 申请日： | 2019-01-10 |
| 公开（公告）号： | CN209200367U | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 卢一鑫;成桢;杨森林;付福兴;赵小侠;王红英 | 申请（专利权）人： | 西安文理学院 |
| 主分类号： | H01S3/108 | 分类号： | H01S3/108;H01S3/115;H01S3/16 |
| 代理公司： | 西安利泽明知识产权代理有限公司 61222 | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种基于MgO:LN晶体电光腔倒空全固态脉冲激光器，包括第一全反射镜1、激光晶体2、第一布儒斯特镜3、电光晶体4、第二布儒斯特镜5、第二全反射镜6，所述第二全反射镜6设置在第二布儒斯特镜5的上方，所述第一全反射镜1、激光晶体2、第一布儒斯特镜3、电光晶体4、第二布儒斯特镜5水平依次设置。本实用新型采用掺杂氧化镁的铌酸锂(MgO:LN)晶体较一般非掺杂铌酸锂晶体(LN)横向半波电压较低，可大幅提高其抗光干扰性和抗光折变性，承受光强比一般LN晶体提高了两个数量级，特别是低廉的生产成本使其在大能量、窄脉冲宽度、高峰值功率的脉冲激光器市场开发中具有价格优势。 | ||
| 搜索关键词： | 布儒斯特镜 全反射镜 脉冲激光器 本实用新型 电光晶体 激光晶体 晶体电光 腔倒空 全固态 横向半波电压 掺杂氧化镁 高峰值功率 铌酸锂晶体 个数量级 价格优势 抗光干扰 市场开发 依次设置 大能量 非掺杂 光强比 窄脉冲 铌酸锂 变性 生产成本 | ||
【主权项】：
1.一种基于MgO:LN晶体电光腔倒空全固态脉冲激光器，其特征在于，包括第一全反射镜、激光晶体、第一布儒斯特镜、电光晶体、第二布儒斯特镜、第二全反射镜，所述第二全反射镜设置在第二布儒斯特镜的上方，所述第一全反射镜、激光晶体、第一布儒斯特镜、电光晶体、第二布儒斯特镜水平依次设置。
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