[发明专利]静电悬浮条件下高温及难熔合金球形单晶的生长方法有效
| 申请号： | 201911388068.0 | 申请日： | 2019-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN111020704B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 胡亮;魏炳波 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B30/02;C30B11/00 |
| 代理公司： | 西北工业大学专利中心 61204 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种静电悬浮条件下高温及难熔合金球形单晶的生长方法，采用静电悬浮技术实现高温及难熔合金球形单晶的快速生长。由静电悬浮技术提供的深过冷快速凝固实现球形单晶的快速生长。当过冷度达到超过冷临界过冷度时，可以生长出没有杂散晶的理想单晶。悬浮熔体温度控制，实现过冷度、冷却速率的主动控制。发明了高温及难熔合金悬浮熔体的温度、过冷度和冷却速率控制方案，通过提高熔体的过冷度，实现了大过冷度条件下的单晶生长。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 悬浮 条件下 高温 熔合 球形 生长 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北工业大学，未经西北工业大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911388068.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
