[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201911335808.4 | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN111384177A | 公开（公告）日： | 2020-07-07 |
| 发明（设计）人： | 吉野学 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 得到能够以小面积而实现高耐压MOS与高耐压隔离区域的电隔离，抑制泄漏电流而提高误动作耐量的半导体装置。高电位侧电路区域(4)、低电位侧电路区域(5)以及进行高电位侧电路区域(4)与低电位侧电路区域(5)之间的信号传输的高耐压MOS(7)设置于1个半导体衬底(8)。高耐压隔离区域(9)将高电位侧电路区域(4)与低电位侧电路区域(5)进行隔离。沟槽隔离部(11)将高耐压MOS(7)与高耐压隔离区域(9)进行隔离。N型扩散层(12)在高电位侧电路区域(4)以及高耐压隔离区域(9)设置于半导体衬底(8)的上表面。与N型扩散层(12)相比杂质浓度低的N型区域(14)设置于沟槽隔离部(11)的两侧面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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