[发明专利]一种表面高密度位错的NCM三元正极材料的制备方法有效
| 申请号： | 201911333077.X | 申请日： | 2019-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110970616B | 公开（公告）日： | 2022-06-24 |
| 发明（设计）人： | 苏岳锋;张其雨;陈来;卢赟;吴锋 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学重庆创新中心;北京理工大学 |
| 主分类号： | H01M4/505 | 分类号： | H01M4/505;H01M4/525;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 管高峰 |
| 地址： | 401120 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种表面高密度位错的NCM三元正极材料的制备方法。所述方法是首先将NCM三元正极材料浸泡在酸性缓冲溶液中一定时间，在随后的惰性气体氛围中退火煅烧时，调控煅烧时间及温度并最终在材料表面形成大量氧空位。氧空位的形成导致材料表面层状结构出现高密度位错。高密度位错的交割作用会抑制在长循环充放电过程中由于材料颗粒相互挤压产生的位错向材料内部移动，因此材料的颗粒完整性得到保持；同时颗粒的完整性减少了材料新鲜表面的暴露，降低电解液对正极材料的侵蚀，同时降低界面副反应，从而提高材料在循环充放电过程中的循环稳定性。本发明所示方法中所用原料无毒环保，符合绿色化学的要求，操作简单，便于实施，具有良好的工业应用前景和经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 表面 高密度 ncm 三元 正极 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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